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볼로미터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022004575
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 볼로미터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 독창적 구조로서, 높은 기계적 안정성, 우수한 열적 특성, 고감도 특성 및 고속 동작 특성을 갖는 볼로미터 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 볼로미터는, 제1 방향으로 소정 길이를 갖는 나노와이어를 다수로 포함하고, 상기 다수의 나노와이어가 제2 방향을 따라 평행하게 배열된, 나노와이어 멤브레인; 및 상기 나노와이어 멤브레인를 지지하여 상기 나노와이어 멤브레인을 공중 부유시키는, 브릿지;를 포함한다.
Int. CL G01J 5/20 (2022.01.01) G01J 5/24 (2022.01.01) G01J 5/04 (2006.01.01)
CPC G01J 5/20(2013.01) G01J 5/24(2013.01) G01J 5/0853(2013.01) G01J 5/046(2013.01) G01J 2005/202(2013.01)
출원번호/일자 1020200137283 (2020.10.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0053157 (2022.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대전 유성구
2 조민승 대전 유성구
3 김범준 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1119151-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2021.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0071750-34
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번호 청구항
1 1
제1 방향으로 소정 길이를 갖는 나노와이어를 다수로 포함하고, 상기 다수의 나노와이어가 제2 방향을 따라 평행하게 배열된, 나노와이어 멤브레인; 및상기 나노와이어 멤브레인를 지지하여 상기 나노와이어 멤브레인을 공중 부유시키는, 브릿지;를 포함하는, 볼로미터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 나노와이어는 C 타입 채널 구조를 갖고,상기 나노와이어는 감지층, 상기 감지층을 덮는 흡수층 및 상기 감지층과 상기흡수층 사이에 배치된 절연층을 포함하는, 볼로미터
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노와이어는,베이스층과 상기 베이스층의 양 끝에서 각각 연장된 측벽을 갖는 감지층; 상기 감지층의 베이스층과 측벽 상에 배치된 흡수층; 및상기 감지층과 상기 흡수층 사이에 배치된 절연층;을 포함하는, 볼로미터
4 4
제 3 항에 있어서,상기 베이스층 상에 배치된 흡수층의 두께는, 상기 측벽 상에 배치된 흡수층의 두께보다 작은, 볼로미터
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 브릿지는, 지지부; 및상기 지지부의 일 측면에서 연장되고, 상기 나노와이어 멤브레인과 연결되는 연장부를 포함하는, 볼로미터
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 브릿지는 제1 브릿지와 제2 브릿지를 포함하고,상기 나노와이어 멤브레인은 상기 제1 브릿지와 상기 제2 브릿지 사이에 연결되고, 상기 제1 브릿지와 상기 제2 브릿지 각각은 상기 지지부와 상기 연장부를 포함하고,상기 연장부는, 상기 지지부의 일 측면으로부터 상기 제1 방향으로 연장된 제1 연장부; 상기 제1 연장부로부터 상기 제2 방향으로 연장되고, 다수의 상기 나노와이어가 연결된 제2 연장부; 및 상기 제2 연장부로부터 연장된 제3 연장부;를 포함하는, 볼로미터
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제1 브릿지의 제3 연장부는, 상기 제2 브릿지의 지지부로부터 소정 간격 이격되고, 상기 제2 브릿지의 지지부의 측면 형상에 대응되는 형상을 갖는, 볼로미터
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 볼로미터가 다수의 행과 열 방향을 따라 다수로 배열된, 볼로미터 어레이 소자
9 9
상면에 형성된 요철부를 포함하는 나노 그레이팅 기판 상에 제1 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트층을 패터닝하는, 제1 패터닝 단계;패터닝된 상기 제1 포토레지스트층과 상기 나노 그레이팅 기판 상에 감지층 형성 물질을 증착하는, 제1 증착 단계;상기 제1 포토레지스트층을 제거하여 상기 나노 그레이팅 기판의 일부 영역을 제외한 나머지 영역 상에 형성된 감지층 형성 물질을 제거하는, 제1 제거 단계;상기 나노 그레이팅 기판과 증착된 상기 감지층 형성 물질 상에 제2 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제2 포토레지스트층을 패터닝하는, 제2 패터닝 단계;패터닝된 상기 제2 포토레지스트층, 증착된 상기 감지층 형성 물질 및 상기 나노 그레이팅 기판 상에 브릿지 형성 물질을 증착하는, 제2 증착 단계;상기 제2 포토레지스트층을 제거하여 상기 감지층 형성 물질과 상기 나노 그레이팅 기판의 일 부분을 제외한 나머지 부분 상의 브릿지 형성 물질을 제거하는, 제2 제거 단계; 증착된 상기 감지층 형성 물질, 상기 브릿지 형성 물질 및 상기 나노 그레이팅 기판 상에 제3 포토레지스트층을 형성하고, 상기 감지층 형성 물질이 노출되도록 상기 제3 포토레지스트층을 패터닝하는, 제3 패터닝 단계; 상기 감지층 형성 물질과 패터닝된 상기 제3 포토레지스트층 상에 절연층 형성 물질과 흡수층 형성 물질을 증착하는, 제3 증착 단계;상기 제3 포토레지스트층을 제거하여 상기 절연층 및 흡수층 형성 물질, 상기 감지층 형성 물질과 상기 나노 그레이팅 기판의 일부분을 제외한 나머지 부분 상의 절연층 및 흡수층 형성 물질을 제거하는, 제3 제거 단계; 및상기 나노 그레이팅 기판에서, 상기 감지층 형성 물질 아래에 배치된 부분을 제거하여 상기 감지층 형성 물질을 상기 나노 그레이팅 기판으로부터 공중 부유시키는, 제4 제거 단계;를 포함하는, 볼로미터 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제1 증착 단계는,상기 나노 그레이팅 기판의 요철부에 상기 감지층 형성 물질을 경사 증착 방법으로 증착하는, 볼로미터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.