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(a) 양자점 시드 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 양자점 시드 용액에 양자점 클러스터 용액을 연속적으로 주입하여 양자점을 성장시키는 단계; (c) 성장된 상기 양자점을 분리하고, 용매에 재분산하는 단계; 및 (d) 재분산된 상기 양자점에 양자점 클러스터 용액을 연속적으로 주입하여 상기 양자점을 더 성장시키는 단계; 를 포함하는 양자점 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 (b) 단계 및 상기 (d) 단계는 각 단계의 상기 양자점이 각각 일정한 크기를 가질 때까지 수행되는 양자점 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 양자점이 소정의 크기로 성장할 때까지 상기 (c) 단계 및 상기 (d) 단계를 반복하여 수행하는 양자점 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 양자점은 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체 물질인 양자점 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 양자점은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InGaAs, InSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnCdSe, ZnCdTe, ZnCdS, CdS, CdSe, CdSeTe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, GeSe, GeTe으로 이루어진 군으로부터 선택되는 양자점 제조 방법
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6
(a) InAs 양자점 시드 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 InAs 양자점 시드 용액에 InAs 양자점 클러스터 용액을 연속적으로 주입하여 InAs 양자점을 성장시키는 단계; (c) 상기 InAs 양자점을 분리하는 단계; 및 (d) 상기 InAs 양자점에 InAs 양자점 클러스터 용액을 연속적으로 주입하여 상기 InAs 양자점을 더 성장시키는 단계; 를 포함하는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 최종적으로 성장한 상기 InAs 양자점의 직경이 3nm 내지 12nm 인 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 최종적으로 성장한 상기 InAs 양자점이 1400nm 내지 1600nm 의 흡수 파장을 갖는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 InAs 양자점 시드 용액은 100-350℃로 가열된 용액인 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 InAs 양자점 클러스터 용액은 상온인 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 InAs 양자점이 일정한 크기를 가질 때까지 수행되는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 InAs 양자점이 일정한 흡수 파장을 가질 때까지 수행되는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 InAs 양자점의 흡수 파장이 변하지 않을 때까지 수행되는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 InAs 양자점이 소정의 크기로 성장할 때까지 상기 (c) 단계 및 상기 (d) 단계를 반복하여 수행하는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, 가열된 In 전구체 용액에 As 전구체 용액을 빠르게 주입하여 상기 InAs 양자점 시드 용액을 준비하는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항에 있어서, In 전구체 용액과 As 전구체 용액을 11:1 내지 1:11 비율(부피비)로 상온에서 반응시켜 상기 InAs 양자점 클러스터 용액을 준비하는 InAs 양자점 제조 방법
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제6 항의 제조방법에 의하여 제조되고, 1400nm 이상의 흡수 파장을 갖고, 평균 직경이 6nm 내지 12nm 이고, 직경의 상대 표준편차가 20% 이하인 InAs 양자점
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제17 항에 있어서, 1400nm 내지 1600nm 의 흡수 파장을 갖는 InAs 양자점
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제17 항의 InAs 양자점을 함유하는 광흡수층을 포함하는 광소자
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제19 항에 있어서, 포토디텍터를 포함하는 광소자
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