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인듐(In)을 포함한 반도체 화합물, 제1금속원소를 포함한 제1전구체, 제2금속원소를 포함한 제2전구체, 제3원소를 포함한 제3전구체 및 제4원소를 포함한 제4전구체를 포함한 혼합물을 준비하는 단계; 및상기 혼합물을 가열하는 단계; 를 포함하고,상기 제1전구체와 제2전구체는 서로 상이하고,상기 제3원소와 제4원소는 서로 상이한, 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인듐(In)을 포함한 반도체 화합물은 InP를 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1전구체 및 제2전구체는 서로 독립적으로, 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(zinc acetate), 아연 아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 아연 올레이트(zinc oleate), 아연 스테아레이트(zinc stearate), 아연 아이오다이드(zinc iodide), 아연 브로마이드(zinc bromide), 아연 클로라이드(zinc chloride), 아연 플루오라이드(zinc fluoride), 아연 카보네이트(zinccarbonate), 아연 시아나이드(zinc cyanide), 아연 나이트레이트(zinc nitrate), 아연 옥사이드(zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(zinc perchlorate), 아연 설페이트(zinc sulfate), 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1전구체 및 제2전구체는 서로 독립적으로, 아연 아세테이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 올레이트 또는 아연 스테아레이트를 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1전구체는 아연 올레이트를 포함하고, 상기 제2전구체는 아연 아세테이트를 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1전구체 및 제2전구체는 서로 독립적으로, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C1-C60 알킬기, 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60 알케닐기 또는 적어도 하나의 R10a로 치환 또는 비치환된 C2-C60 알키닐기를 포함하고,상기 제1전구체가 포함하는 탄소 개수와 상기 제2전구체가 포함하는 탄소 개수는 서로 상이하고,상기 R10a는,중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 또는 니트로기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11), -P(=O)(Q11)(Q12), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, 또는 C1-C60알콕시기; 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21), -P(=O)(Q21)(Q22), 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹, C1-C60헤테로시클릭 그룹, C6-C60아릴옥시기, 또는 C6-C60아릴티오기; 또는-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), 또는 -P(=O)(Q31)(Q32);이고,상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; -F; -Cl; -Br; -I; 히드록실기; 시아노기; 니트로기; C1-C60알킬기; C2-C60알케닐기; C2-C60알키닐기; C1-C60알콕시기; 또는 중수소, -F, 시아노기, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 또는 이의 임의의 조합으로 치환 또는 비치환된, C3-C60카보시클릭 그룹 또는 C1-C60헤테로시클릭 그룹인,양자점 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1전구체는 C11-C60 알킬기 또는 C11-C60 알케닐기를 포함하고,상기 제2전구체가 C1-C10 알킬기를 포함하고,상기 혼합물에서 제1전구체의 함량이 제2전구체의 함량보다 큰, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제3전구체는 트리부틸포스핀-셀레나이드(TBP-Se), 트리옥틸포스핀-셀레나이드(TOP-Se) 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제4전구체는 트리부틸포스핀-설파이드(TBP-S), 트리옥틸포스핀-설파이드(TOP-S) 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 혼합물을 가열하는 단계는,120°C 내지 280°C에서 수행되는 제1가열단계; 및280°C 내지 340°C에서 수행되는 제2가열단계를 포함하고,상기 제1가열단계의 승온 속도는 상기 제2가열단계의 승온 속도보다 빠른, 양자점 제조 방법
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제1항에 따른 양자점 제조방법으로 제조되고,인듐(In)을 포함한 반도체 화합물을 포함한 코어; 및상기 코어를 둘러싼 쉘을 포함하고,상기 쉘은 제3원소 및 제4원소를 포함하는 제1영역 및 제4원소를 포함하는 제2영역을 포함한, 양자점
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제11항에 있어서,상기 인듐(In)을 포함한 반도체 화합물은 InP를 포함한, 양자점
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제11항에 있어서,상기 쉘은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 양자점
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제11항에 있어서,상기 제1영역은 ZnSexS1-x (0003c#x003c#1)를 포함하고,상기 제2영역은 ZnS를 포함한, 양자점
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제10항에 있어서,상기 양자점의 PL 스펙트럼의 최대 발광 파장은 520 nm 내지 540 nm 인, 양자점
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제1항에 있어서,상기 양자점의 PL 스펙트럼은 반치폭(FWHM)이 40 nm 이하인, 양자점
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제11항 내지 제16항 중 어느 한 항의 양자점을 포함한 광학 부재
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제11항 내지 제16항 중 어느 한 항의 양자점을 포함한, 전자 장치
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제18항에 있어서,광원; 및상기 광원으로부터 방출된 광의 경로에 배치된 색변환 부재;를 포함하고,상기 양자점은 상기 색변환 부재에 포함되어 있는, 전자 장치
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제18항에 있어서,제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치된 발광층; 을 포함한 발광 소자를 포함하고,상기 양자점은 상기 발광 소자에 포함되어 있는, 전자 장치
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