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기판상에 버퍼층을 형성하는 단계와,상기 버퍼층의 상부에 인위적으로 도핑을 하지않은 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하고;인장력하에서 상기 질화갈륨층을 성장시켜 상기 질화갈륨층이 p형 대역 특성을 갖게 하고, 압축력하에서 상기 질화갈륨층을 성장시켜 상기 질화갈륨층이 n형 대역 특성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은, 질화알루미늄, 질화갈륨, 질화알루미늄갈륨, 알루미늄아세나이드, 갈륨아세나이드, 또는 이들의 조합중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 상기 질화갈륨층의 형성이 상기 인장력 하에 놓일 수 있는 범위까지가 최대 두께 범위인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
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제4항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 최대 두께 범위 내에서 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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제1항에 있어서,700 내지 1100℃ 범위내에서 상기 기판상에 버퍼층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층 형성 전에 Al 전처리를 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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제1항에 있어서,Ga 소스로는 TMGa를, N 소스로는 NH3를, 캐리어 가스로는 H2를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 제조방법
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기판과,상기 기판상에 형성되는 버퍼층과,상기 버퍼층의 상부에 형성되는 인위적으로 도핑하지 않은 질화갈륨층을 포함하고;인장력하에서 상기 질화갈륨층을 성장시켜 상기 질화갈륨층이 p형 대역 특성을 갖게 하고, 압축력하에서 상기 질화갈륨층을 성장시켜 상기 질화갈륨층이 n형 대역 특성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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제9항에 있어서,상기 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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제9항에 있어서,상기 버퍼층은, 질화알루미늄, 질화갈륨, 질화알루미늄갈륨, 알루미늄아세나이드, 갈륨아세나이드, 또는 이들의 조합중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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제9항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 상기 질화갈륨층의 형성이 상기 인장력 하에 놓일 수 있는 범위까지가 최대 두께 범위인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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제12항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 최대 두께 범위 내에서 다층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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제9항에 있어서,상기 버퍼층의 형성 온도는 700 내지 1100℃ 범위내 인 것을 특징으로 하는질화물 반도체
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제9항에 있어서,Ga 소스로는 TMGa를, N 소스로는 NH3를, 캐리어 가스로는 H2를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체
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