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실리콘 나노선 열전소자 제조방법에 있어서,기판(wafer)에 실리콘 재질의 n-type 및 p-type 열전반도체(thermoelectric semiconductor)를 규칙적으로 교번되게 도핑(doping)하는 1단계와;상기 열전반도체가 도핑된 접합면을 남기고 나머지 기판 하부를 연마(polishing)공정하는 2단계와;상기 연마공정 후 열전반도체가 도핑된 영역을 제외한 기판 부분에 절연체 막을 형성하는 3단계와;상기 3단계 후 기판 하부에 배리어 금속층(barrier meter)을 형성하는 4단계와;상기 4단계 후 기판 상부에 배리어 범프 금속층(barrier bump meter)을 형성하는 5단계와;상기 배리어 범프 금속층 및 식각 방지 마스크(mask)를 통해 도핑된 n-type 및 p-type의 열전반도체를 트렌치 식각(trench etching)함으로써 나노선(nano-wires)을 생성하는 6단계와;상기 6단계 후 중력에 의해 상기 나노선이 움직이지 않도록 기판을 뒤집는 7단계와;상기 7단계 후 뒤집은 기판 하부에서 소프트 금속층(soft metal)을 형성하는 8단계; 및상기 8단계 후 뒤집힌 기판을 원위치시키는 9단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열전반도체의 n-type과 p-type간 폭은 수 나노미터(nm)에서 수십 나노 미터 범위 내에서 형성하며, 열전반도체가 기판에 도핑되는 접합면의 깊이는 수십 마이크로미터(micro-meter)에서 100 마이크로미터 범위 내에서 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 배리어 금속층은 일 측을 n-type 열전반도체에 타 측을 p-type 열전반도체에 연결 또는 일 측을 p-type 열전반도체에 타 측을 n-type 열전반도체에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 배리어 범프 금속층은 일정 간격으로 패턴을 형성하여 트렌치 식각 공정에서 마스크 역할을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 소프트 금속층은 일 측을 n-type 나노선에 타 측을 p-type 나노선에 연결 또는 일 측을 p-type 나노선에 타 측을 n-type 나노선에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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실리콘 나노선 열전소자 제조방법에 있어서,실리콘 재질의 n-type 기판(substrate)에 p-type 열전반도체(thermoelectric semiconductor)를 일정간격으로 도핑(doping)하는 1단계와;상기 열전반도체가 도핑된 접합면까지 남기고 나머지 기판 하부를 연마(polishing)공정하는 2단계와;상기 연마공정 후 n-type 및 p-type의 나노선이 생성되는 부분을 제외한 기판 부분에 절연체 막을 형성하는 3단계와;상기 3단계 후 기판 하부에 배리어 금속층(barrier meter)을 형성하는 4단계와;상기 4단계 후 기판 상부에 배리어 범프 금속층(barrier bump meter)을 형성하는 5단계와;상기 배리어 범프 금속층 및 식각 방지 마스크(mask)를 통해 트렌치 식각함(trench etching)으로써 n-type 및 p-type의 나노선(nano-wires)을 생성하는 6단계와;상기 6단계 후 중력에 의해 상기 나노선이 움직이지 않도록 기판을 뒤집는 7단계와;상기 7단계 후 뒤집은 기판 하부에서 소프트 금속층(soft metal)을 형성하는 8단계; 및상기 8단계 후 뒤집힌 기판을 원위치시키는 9단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 1단계의 p-type 열전반도체는 n-type 나노선이 형성될 부분과 수 나노미터(nm)에서 수십 나노 미터 범위 내에서 폭(너비)을 형성하며, p-type 열전반도체가 n-type 기판에 도핑되는 접합면의 깊이는 수십 마이크로미터(micro-meter)에서 100 마이크로미터 범위 내에서 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 배리어 금속층은 일 측을 절연체 막이 형성되지 않은 n-type 기판에 타 측을 p-type 열전반도체에 연결 또는 일 측을 p-type 열전반도체에 타 측을 절연체 막이 형성되지 않은 n-type 기판에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 배리어 범프 금속층은 일정 간격으로 패턴을 형성하여 트렌치 식각 공정에서 마스크 역할을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 소프트 금속층은 일 측을 n-type 나노선에 타 측을 p-type 나노선에 연결 또는 일 측을 p-type 나노선에 타 측을 n-type 나노선에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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실리콘 나노선 열전소자 제조방법에 있어서,실리콘 재질의 p-type 기판(substrate)에 n-type 열전반도체(thermoelectric semiconductor)를 일정간격으로 도핑(doping)하는 1단계와;상기 열전반도체가 도핑된 접합면을 남기고 나머지 기판 하부를 연마(polishing)공정하는 2단계와;상기 연마공정 후 n-type 및 p-type의 나노선이 생성되는 부분을 제외한 기판 부분에 절연체 막을 형성하는 3단계와;상기 3단계 후 기판 하부에 배리어 금속층(barrier meter)을 형성하는 4단계와;상기 4단계 후 기판 상부에 배리어 범프 금속층(barrier bump meter)을 형성하는 5단계와;상기 배리어 범프 금속층 및 식각 방지 마스크(mask)를 통해 트렌치 식각(trench etching)함으로써 n-type 및 p-type의 나노선(nano-wires)을 생성하는 6단계와;상기 6단계 후 중력에 의해 상기 나노선이 움직이지 않도록 기판을 뒤집는 7단계와;상기 7단계 후 뒤집은 기판 하부에서 소프트 금속층(soft metal)을 형성하는 8단계; 및상기 8단계 후 뒤집힌 기판을 원위치시키는 9단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 1단계의 n-type 열전반도체는 p-type 나노선이 형성될 부분과 수 나노미터(nm)에서 수십 나노 미터 범위 내에서 폭(너비)을 형성하며, n-type 열전반도체가 p-type 기판에 도핑되는 접합면의 깊이는 수십 마이크로미터(micro-meter)에서 100 마이크로미터 범위 내에서 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 배리어 금속층은 일 측을 절연체 막이 형성되지 않은 p-type 기판에 타 측을 n-type 열전반도체에 연결 또는 일 측을 n-type 열전반도체에 타 측을 절연체 막이 형성되지 않은 p-type 기판에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 배리어 범프 금속층은 일정 간격으로 패턴을 형성하여 트렌치 식각 공정에서 마스크 역할을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 소프트 금속층은 일 측을 n-type 나노선에 타 측을 p-type 나노선에 연결 또는 일 측을 p-type 나노선에 타 측을 n-type 나노선에 연결하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자 제조방법
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제 1항 내지 제 5항의 실리콘 나노선 열전소자 제조방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자
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제 6항 내지 제 10항의 실리콘 나노선 열전소자 제조방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자
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제 11항 내지 제 15항의 실리콘 나노선 열전소자 제조방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 열전소자
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