맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015162004
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자는 서로 다른 전기적 특성을 갖는 복수의 질화물계 전극 접합층과, 상기 전극 접합층 사이에 이격되게 배치되는 복수의 장벽층을 포함하는 반도체층; 및 상기 복수의 질화물계 전극 접합층에 각각 접촉하며, 서로 분리되어 형성되는 복수의 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01L 29/7371(2013.01) H01L 29/7371(2013.01) H01L 29/7371(2013.01) H01L 29/7371(2013.01)
출원번호/일자 1020110136742 (2011.12.16)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1321404-0000 (2013.10.17)
공개번호/일자 10-2013-0069158 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20131028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.16)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 임기식 대한민국 대구광역시 북구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004402-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080655-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0214707-67
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0478757-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0478762-35
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0504409-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 다른 전기적 특성을 갖는 복수의 질화물계 전극 접합층과, 상기 전극 접합층 사이에 이격되게 배치되는 복수의 장벽층을 포함하는 반도체층; 및상기 복수의 질화물계 전극 접합층에 각각 접촉하며, 서로 분리되어 형성되는 복수의 전극을 포함하되,상기 복수의 전극은 각각 폐-루프(closed-loop) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 질화물계 전극 접합층이 세 개의 전극 접합층으로 이루어진 경우, 상기 장벽층은 두 개의 전극 접합층 사이에 각각 배치되는 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 장벽층 및 상기 제2 장벽층은 밴드갭(band gap) 에너지가 서로 다른 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
제2항에 있어서,상기 제1 장벽층은 갈륨나이트라이드(GaN) 또는 상기 GaN과 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하고,상기 제2 장벽층은 알루미늄나이트라이드(AlN) 또는 상기 AlN과 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 질화물계 전극 접합층이 세 개의 전극 접합층으로 이루어진 경우, 상기 세 개의 전극 접합층은 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극에 각각 접촉하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 P형 갈륨나이트라이드(P-GaN) 또는 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 물질을 포함하고,상기 제2 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 인듐갈륨나이트라이드(InxGa1-xN)(여기서, x는 양의 정수) 또는 상기 InxGa1-xN와 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하며,상기 제3 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 또는 N(+)형 갈륨나이트라이드(N+-GaN) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 InxGa1-xN와 밴드갭 대역이 유사한 물질은 비소(As) 또는 인(P) 계열의 화합물인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 복수의 전극이 형성되는 상기 반도체층의 각 영역은 서로 다른 높이의 단차를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,상기 복수의 전극은 동일한 금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
11 11
서로 다른 전기적 특성을 갖는 적어도 셋 이상의 질화물계 전극 접합층과, 복수의 상기 질화물계 전극 접합층 사이에 이격되게 복수의 장벽층을 배치시켜 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 일부 층을 제거하여 두 개의 상기 장벽층 사이에 배치되는 상기 질화물계 전극 접합층을 노출시키는 단계;상기 질화물계 전극 접합층이 노출된 영역의 일부 층을 제거하여 상기 장벽층의 하단에 배치되는 상기 질화물계 전극 접합층을 노출시키는 단계; 및상기 장벽층의 상측에 배치되는 상기 질화물계 전극 접합층과, 노출된 상기 두 개의 질화물계 전극 접합층에 각각 접촉하는 복수의 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 복수의 전극은 각각 폐-루프(closed-loop) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 질화물계 전극 접합층이 세 개의 전극 접합층으로 이루어진 경우, 두 개의 전극 접합층 사이에 제1 장벽층 및 제2 장벽층을 각각 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 장벽층은 갈륨나이트라이드(GaN) 또는 상기 GaN과 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하여 형성되고,상기 제2 장벽층은 알루미늄나이트라이드(AlN) 또는 상기 AlN과 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 질화물계 전극 접합층이 세 개의 전극 접합층으로 이루어지는 경우, 상기 세 개의 전극 접합층은 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극에 각각 접촉하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 P형 갈륨나이트라이드(P-GaN) 또는 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 물질을 포함하여 형성되고,상기 제2 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 인듐갈륨나이트라이드(InxGa1-xN)(여기서, x는 양의 정수) 또는 상기 InxGa1-xN와 밴드갭 대역이 유사한 도전성 물질을 포함하여 형성되며,상기 제3 전극에 접촉하는 질화물계 전극 접합층은 N형 갈륨나이트라이드(N-GaN) 또는 N(+)형 갈륨나이트라이드(N+-GaN) 물질을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.