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질화물 반도체 다이오드에 있어서,제1 질화물층;상기 제1 질화물층의 옆면을 둘러싸며 배치된 채널구조; 및상기 채널구조의 옆면을 둘러싸며 배치된 제2 질화물층;을 포함하며,상기 채널 구조는,상기 채널 구조의 하부 면에서부터 복수 개의 미도핑된 질화물층과 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층이 교번적으로 적층된 구조인 질화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서,상기 복수 개의 미도핑된 질화물층은, 미도핑된 질화갈륨층이며,상기 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층은, 카본 도핑된 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드
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제1항에 있어서,상기 제1 질화물층, 상기 제2 질화물층 및 상기 채널구조 하부에 배치된 기판; 및상기 기판과 상기 채널구조 사이에 배치된 고저항성 버퍼구조;를 더 포함하며, 상기 고저항성 버퍼구조는,상기 기판 상부에 배치된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상부에 배치된, 적어도 하나 이상의 미도핑된 질화물층과 적어도 하나 이상의 도핑된 저항성 질화물층이 교번적으로 적층된 구조;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드
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제3항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 미도핑된 질화물층은 미도핑된 질화갈륨층이며,상기 적어도 하나 이상의 도핑된 저항성 질화물층은 카본 도핑된 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 질화물층 및 상기 제2 질화물층은,고농도 n형 도핑된 질화갈륨 층인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드
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제5항에 있어서,상기 제1 질화물층에 접하는 캐소드 전극; 및상기 제2 질화물층 상부에 배치된 애노드 전극을 더 포함하며,상기 제2 질화물층과 상기 애노드 전극 사이에 저농도 n형 도핑된 질화갈륨층이 배치된 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드
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7
질화물 반도체 다이오드 제조방법에 있어서,복수 개의 미도핑된 질화물층과 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층이 교번적으로 적층된 채널구조를 형성하는 단계; 및상기 채널구조를 사이에 두고 제1 질화물층 및 제2 질화물층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 채널구조는,상기 채널구조의 하부 면에서부터 복수 개의 미도핑된 질화물층과 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층이 교번적으로 적층된 구조인 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,상기 채널구조를 형성하는 단계는,복수 개의 미도핑된 질화물층과 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층을 교번적으로 적층하는 단계; 및교번적으로 적층된 구조의 기설정된 영역을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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9
제7항에 있어서,기판 상부에 고저항성 버퍼구조를 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 채널 구조는 상기 고저항성 버퍼구조의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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10
제8항에 있어서,상기 교번적으로 적층된 구조의 기설정된 영역을 식각하는 단계는,상기 교번적으로 적층된 구조의 높이보다 낮은 높이까지 식각하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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제7항 또는 9항에 있어서,상기 복수 개의 미도핑된 질화물층은, 미도핑된 질화갈륨층이며,상기 복수 개의 도핑된 저항성 질화물층은, 카본 도핑된 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 질화물층 및 상기 제2 질화물층은,고농도 n형 도핑된 질화갈륨층인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 제1 질화물층에 접하여 캐소드 전극을 형성하는 단계;상기 제2 질화물층 상부에 저농도 n형 도핑된 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및상기 저농도 n형 도핑된 질화갈륨 층 상부에 애노드 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 다이오드 제조방법
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