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반도체 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015162217
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 질화물층, 질화물층 상부에 배치된 제1 산화막, 질화물층으로부터 제1 산화막을 관통하여, 제1 산화막 상부로 돌출된 복수의 기둥 구조, 제1 산화막 상부로 돌출된 복수의 기둥 구조의 측면 및 제1 산화막의 상부 표면을 덮는 게이트 절연층, 게이트 절연층을 덮는 게이트 전극, 게이트 전극 상부에 배치되는 제2 절연층, 제2 절연층 상에 배치되어 복수의 기둥 구조와 연결되는 제1 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/423(2013.01) H01L 29/423(2013.01) H01L 29/423(2013.01) H01L 29/423(2013.01)
출원번호/일자 1020130074056 (2013.06.26)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1375681-0000 (2014.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 조영우 대한민국 대구광역시 서구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구
5 원철호 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0574916-00
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0075935-22
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 질화물층을 형성하는 단계;상기 질화물층 상부에 복수의 기둥 구조를 형성하는 단계;여기서 복수의 기둥 구조를 형성하는 단계는상기 질화물층 상부에 제2 산화막을 형성하는 단계;상기 제2 산화막 상부에 기설정된 패턴으로 금속 박막을 형성하는 단계;상기 금속 박막을 산소 분위기에서 열처리하여 산화 금속막을 형성하는 단계;상기 산화 금속막을 마스크로 하여 상기 제2 산화막의 하부에 위치한 상기 질화물층이 노출될 때까지 상기 제2 산화막을 식각하는 단계;상기 산화 금속막을 제거하는 단계;상기 식각으로 노출된 질화물층 상부에 상기 복수의 기둥 구조를 성장시키는 단계; 및상기 제2 산화막을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 질화물층 상부에 배치되며 상기 복수의 기둥 구조의 제1 높이까지 배치되는 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 제1 산화막의 상부 표면으로부터 돌출된 상기 복수의 기둥 구조의 측면 부분 및 상기 제1 산화막의 상부 표면을 덮는 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층을 덮는 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상부에 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층 상에서 상기 복수의 기둥 구조와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 질화물층의 기설정된 영역에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은 Al2O3인 반도체 소자 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 기둥 구조는 직원기둥 또는 직육면체 형태이며, 윗면의 지름 또는 변의 길이가 0 초과 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 n-타입 도펀트로 도핑된 n-타입 폴리 실리콘 또는 p-타입 도펀트로 도핑된 p-타입 폴리 실리콘인 반도체 소자 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물층은 n-타입 도펀트로 도핑된 n-타입 GaN이며, 상기 복수의 기둥 구조는미도핑 GaN 또는 n-타입 GaN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 질화물층은 n-타입 GaN이며,상기 식각으로 노출된 질화물층 상부에 상기 복수의 기둥 구조를 성장시키는 단계는상기 식각으로 노출된 질화물층 상부에 제1 높이까지 n-타입 GaN을 성장시키는 단계;상기 제1 높이까지 성장된 n-타입 GaN의 상부에 제2 높이까지 미도핑 GaN 또는 p-타입 GaN을 성장시키는 단계; 및상기 제2 높이까지 성장된 미도핑 GaN 또는 p-타입 GaN의 상부에 제3 높이까지 n-타입 GaN을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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