맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용비스무스-세리움 티탄산 박막

  • 기술번호 : KST2015114652
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 장시간동안 사용하여도 박막의 피로현상이 없고, 낮은 열처리 온도에서도 뛰어난 전기적 특성을 나타내는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막 및 전기 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 비스무스-세리움 티탄산 박막의 제조방법은 Ce/(Ce+Bi)가 0.01 내지 0.99인 조성비를 갖는 비스무스 전구체 및 세리움 전구체의 혼합물과, 티타늄 전구체를 30 내지 800℃, 1x10-9Torr 내지 100atm에서 습식 증착방법 또는 건식 증착방법으로 기판에 증착시키는 단계 및 증착된 박막을 100 내지 600oC/분의 온도상승률 및 200 내지 800℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 비스무스-세리움 티탄산 박막은 자발분극(remnant polarization) 현상을 나타내고, 캐패시터의 피로현상이 나타나지 않으므로, 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리용 캐패시터로서 유용하게 활용될 수 있을것이다.비스무스-세리움 티탄산 박막, 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리용 캐패시터
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자 1020010020068 (2001.04.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0371055-0000 (2003.01.22)
공개번호/일자 10-2002-0079274 (2002.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20030205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.04.14)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 우성일 대한민국 서울특별시송파구
2 정현진 대한민국 대전광역시서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2001-0084985-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2002-0022705-00
4 등록결정서
Decision to grant		 2002.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0388071-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

(ⅰ) Ce/(Ce+Bi)가 0

2 2

제 1항에 있어서,

습식 증착방법은 유기용매를 이용한 액적화학증착법(LSMCD, liquid

source misted chemical deposition), 졸-겔법(sol-gel) 또는 유기금

속분해법(MOD, metalorganic decomposition)인 것을 특징으로 하는

비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

3 3

제 2항에 있어서,

유기용매는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 2-메톡

시에탄올, 톨루엔, 벤젠, 페놀, 2-에틸헥사논산, 아세톤 또는 아세틸

아세토네이트인 것을 특징으로 하는

비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서,

건식 증착방법은 유기금속기상화학증착법(MOCVD, metalorganic

chemical vapor deposition), 레이저 어블레이션법(laser ablation),

휘발법(evaporation) 또는 스퍼터링법(sputtering)인 것을

특징으로 하는

비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서,

기판은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 철(Fe), 이리듐(Ir),

로듐(Rh), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 또는

전기 금속의 산화물이 80 내지 120nm 두께로 코팅된 실리콘(Si) 웨이

퍼(wafer)인 것을 특징으로 하는

비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서,

열처리는 공기, 산소, 질소, 수증기, 비활성기체, 아산화질소, 오존,

암모니아, 일산화질소, 이산화질소, 황화수소 또는 일산화탄소로 포화

된 대기에서 수행하는 것을 특징으로 하는

비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

7 7

제 1항의 방법에 의하여 제조된 비스무스-세리움 티탄산 박막에, La, Pr, Nd, Sm 또는 Eu을 증착시키는 공정을 추가로 포함하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

8 8

제 1항의 방법에 의하여 제조된 비스무스-세리움 티탄산 박막을 반응성 이온 플라즈마 또는 저압 고밀도 플라즈마를 이용하여 처리하는 공정을 추가로 포함하는 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막의 제조방법

9 9

제 1항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막

10 10

제 7항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막

11 11

제 8항의 방법으로 제조된 비휘발성 강유전체 랜덤 억세스 메모리의 캐패시터용 비스무스-세리움 티탄산([Bi,Ce]4Ti3O12) 박막

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.