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질화물 반도체 소자의 제조방법에 있어서,기판상에 GaN 층을 형성하는 단계;상기 GaN 층상에 절연층 및 재성장 GaN 층을 교번적으로 적층하는 단계;기설정된 소스 구조, 드레인 구조 및 채널 구조를 갖도록, 상기 절연층 및 재성장 GaN 층이 교번적으로 적층된 구조를 식각하는 단계;상기 채널 구조 내의 복수의 재성장 GaN 층 사이에 배치된 절연층을 제거하는 단계;상기 채널 구조 내의 복수의 재성장 GaN 층을 둘러싸는 형태로 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널 구조 내의 복수의 재성장 GaN 층을 둘러싸는 형태로 복수의 AlGaN 층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 GaN 층상에 절연층 및 재성장 GaN 층을 교번적으로 적층하는 단계는,상기 GaN 층 상의 제1 영역에 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층이 형성되지 않은 상기 GaN 층 상의 제2 영역에서부터 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 방식으로 GaN을 재성장(regrowth)하여, 상기 GaN 층 상의 제2 영역 및 상기 제1 절연층 상에 제1 재성장 GaN 층을 형성하는 단계;상기 제1 재성장 GaN 층 상의 제1 영역에 제2 절연층을 형성하는 단계; 및상기 제2 절연층이 형성되지 않은 상기 제1 재성장 GaN 층 상의 제2 영역에서부터 ELO 방식으로 GaN을 재성장하여, 상기 제1 재성장 GaN 층 상의 제2 영역 및 상기 제2 절연층 상에 제2 재성장 GaN 층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 채널 구조 내의 복수의 재성장 GaN 층 및 상기 복수의 AlGaN 층을 둘러싸는 형태로 상기 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 제거하는 단계는,상기 절연층만을 선택적으로 식각하는 에칭 용액을 이용하여 상기 절연층을 제거하는 것을 특징으로 질화물 반도체 소자의 제조방법
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질화물 반도체 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 배치된 GaN 층;상기 GaN 층 상에 배치되며, 복수의 재성장 GaN층이 적층된 소스 구조;GaN 층 상에서 상기 복수의 재성장 GaN층이 적층된 소스 구조와 거리를 두고 배치되며, 복수의 재성장 GaN층이 적층된 드레인 구조;상기 소스 구조와 상기 드레인 구조를 연결하며, 서로 이격되어 배치된 복수의 GaN 채널구조; 상기 복수의 GaN 채널구조 각각을 둘러싸는 복수의 AlGaN 층; 및 상기 복수의 AlGaN 층을 둘러싸는 게이트 전극;을 포함하는 질화물 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 복수의 GaN 채널 구조의 노출된 면 각각의 기 설정된 영역 모두를 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 소스 구조 및 상기 드레인 구조는,제1 재성장 GaN 층 및 상기 제1 재성장 GaN 층 상에 배치된 제2 재성장 GaN 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 복수 개의 GaN 채널 구조는,상기 소스 구조의 제1 재성장 GaN 층과 상기 드레인 구조의 제1 재성장 GaN 층을 연결하는 복수 개의 제1 GaN 채널 구조와, 상기 소스 구조의 제2 재성장 GaN 층과 상기 드레인 구조의 제2 재성장 GaN 층을 연결하는 복수 개의 제2 GaN 채널 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 GaN 층, 상기 소스 구조, 상기 드레인 구조 및 상기 복수의 GaN 채널 구조 중 적어도 하나는,n-타입 도펀트로 도핑된 GaN으로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 기판과 상기 GaN 층 사이에 배치된 버퍼층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 복수의 GaN 채널 구조와 상기 게이트 전극 사이에 배치된 복수의 게이트 절연막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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