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쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법(Fabricating Method of Nitride Semiconductor with Short Channel Length)

  • 기술번호 : KST2016013778
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소스 전극에서 게이트 영역으로의 액세스 저항 및 소스/드레인 영역과 게이트 영역의 접촉 저항을 감소시킬 수 있도록 게이트 길이를 최소화하여 스위칭 속도가 우수하고 전류의 크기를 최대화할 수 있는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 측면에 따르면, 제 1 질화물 반도체 박막 상에 제 2 질화물 반도체 물질이 이종접합된 기판을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 절연막을 증착한 후 중앙부를 제외한 양 측부를 식각하여, 상기 제 1 질화물 반도체 물질의 일부가 측면 하부에서 외부로 노출되는 기둥을 형성하는 단계; 상기 기둥을 식각하여 폭을 축소하는 단계; 상기 기둥의 양 측부에 고농도 n-type의 물질로 이루어지는 전극층을 재성장시키는 단계; 상기 절연막을 제거한 후 상기 기판의 표면에 게이트 유전체층을 증착하는 단계; 상기 기둥의 양 측부에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기둥의 상부 일측에 게이트 단자를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/66431(2013.01)
출원번호/일자 1020150004026 (2015.01.12)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0087008 (2016.07.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.12)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 김도균 대한민국 대구광역시 남구
3 김동석 대한민국 대구광역시 동구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구
5 조영우 대한민국 대구시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 해담 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, **층 *호(역삼동, 송촌빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0027142-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0002174-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0047795-05
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0089104-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0269131-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0269143-51
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0510720-20
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0899818-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0048509-77
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0714243-70
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0019557-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 질화물 반도체 박막 상에 제 2 질화물 반도체 물질이 이종접합된 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 절연막을 증착한 후 중앙부를 제외한 양 측부를 식각하여, 상기 제 1 질화물 반도체 물질의 일부가 측면 하부에서 외부로 노출되는 기둥을 형성하는 단계;상기 기둥을 식각하여 폭을 축소하는 단계;상기 기둥의 양 측부에 고농도 n-type의 물질로 이루어지는 전극층을 재성장시키는 단계;상기 절연막을 제거한 후 상기 기판의 표면에 게이트 유전체층을 증착하는 단계;상기 기둥의 양 측부에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 기둥의 상부 일측에 게이트 단자를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 고농도 n-type의 전극층은 상기 제 1 질화물 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
3 3
제 1 질화물 반도체 물질로 이루어지는 기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 절연막을 증착한 후 중앙부를 제외한 양 측부를 식각하여, 상기 제 1 질화물 반도체 물질의 일부가 측면 하부에서 외부로 노출되는 기둥을 형성하는 단계;상기 기둥을 식각하여 폭을 축소하는 단계;상기 기둥의 양 측부에 고농도 n-type의 물질로 이루어지는 전극층을 재성장시키는 단계;상기 절연막을 제거한 후 상기 기판의 표면에 게이트 유전체층을 증착하는 단계;상기 기둥의 양 측부에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 기둥의 상부 일측에 게이트 단자를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 고농도 n-type의 전극층은 제 2 질화물 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 기둥을 식각하여 폭을 축소하는 단계는, 상기 기둥을 수평 방향으로 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 습식 식각은 TMAH(TetraMethyl Ammounium Hydroxide) 또는 KOH 용액을 이용하여 방향성 식각하는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
7 7
제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체 물질은 GaN인 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
8 8
제 1항 또는 제 4항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체 물질은 AlGaN 또는 AIN인 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
9 9
제 1항 또는 제 4항에 있어서,상기 절연막은 상기 제 1 질화물 반도체 물질 및 상기 제 2 질화물 반도체 물질과는 다른 식각 특성을 갖는 물질이 사용되는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
10 10
제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, SiN, HfO 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
11 11
제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 기판 상에 절연막을 증착한 후 중앙부를 제외한 양 측부를 식각할 때, 상기 절연막을 먼저 건식 식각한 후에 하부의 상기 질화물 반도체 물질을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 쇼트 채널 구조를 갖는 질화물 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 전자정보디바이스 산업원천기술개발 사업 차세대 반도체소자용 에피성장 측정·분석 및 전력반도체 원천기술 개발