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질화물 반도체 기판 상에 수직 방향의 나노와이어를 형성하는 단계;상기 나노와이어와 상기 기판 상에 제 1 스페이서를 증착한 후 상기 제 1 스페이서 상에 제 1 PR코팅막을 형성하는 단계;상기 나노와이어 부분이 노출되도록 상기 제 1 PR코팅막을 식각하는 단계;상기 제 1 PR코팅막을 식각한 하부에 남아있는 상기 제 1 스페이서를 식각하는 단계;상기 나노와이어와 상기 제 1 스페이서 상에 게이트 단자층을 형성하는 단계;상기 게이트 단자층 상에 제 2 스페이서를 증착한 후 상기 제 2 스페이서 상에 제 2 PR코팅막을 형성하는 단계;상기 나노와이어 부분이 노출되도록 상기 제 2 PR코팅막을 식각하는 단계;상기 제 2 PR코팅막을 식각한 하부에 남아있는 상기 제 2 스페이서 및 상기 게이트 단자층을 차례로 식각하여 상기 나노와이어의 일부가 상부에 노출되도록 하는 단계;상기 기판의 상부 일측에 소스 전극을 형성하고, 상기 나노와이어의 상부 일측에 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 단자층 일측에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화물 반도체 물질은 GaN인 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 질화물 반도체 기판 상에 수직 방향의 나노와이어를 형성하는 단계는,상기 기판 상에 절연막을 증착한 후 중앙부를 제외한 양 측부를 식각하여 상기 질화물 반도체 물질의 일부가 측면 하부에서 외부로 노출되는 기초와이어를 형성하는 단계;상기 기초와이어를 식각하여 폭을 축소하는 단계; 및상기 절연막을 제거하는 단계를 포함하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 기초와이어를 식각하여 폭을 축소하는 단계는, 상기 기초와이어를 수평 방향으로 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 4항에 있어서,상기 습식 식각은 TMAH(TetraMethyl Ammounium Hydroxide) 또는 KOH 용액을 이용하여 방향성 식각하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 절연막은 상기 질화물 반도체 물질과는 다른 식각 특성을 갖는 물질이 사용되는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, SiN, HfO 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어와 상기 제 1 스페이서 상에 게이트 단자층을 형성하는 단계는,상기 나노와이어와 상기 제 1 스페이서 상에 게이트 유전체층을 증착하는 단계; 및상기 게이트 유전체층 상에 게이트 금속층을 증착하는 단계를 포함하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노와이어와 상기 제 1 스페이서 상에 게이트 단자층을 형성하는 단계 이전과,상기 기판의 상부 일측에 소스 전극을 형성하고, 상기 나노와이어의 상부 일측에 드레인 전극을 형성하는 단계 이전에,남아있는 상기 PR코팅막을 모두 제거하는 단계가 각각 선행하는 나노와이어 구조의 질화물 반도체 소자 제조방법
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