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변압기 절연유중의 수소가스를 감시하는 고감도 저드레프트PD/PTMISFET형센서

  • 기술번호 : KST2015224944
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 변압기 절연유 중의수소 가스를 감지하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서에 관한 것으로써, 제1도전형의 반도체기판과; 상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층과; 상기 매몰산화층의 상부에 의해 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제1도전형의 반도체층과; 상기 반도체층의 소정부분에 소정 거리 이력되어 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제1소오스 및 제1드레인, 상기 제1소오스와 제1드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제1하부 및 제1상부 게이트절연층, 상기 제1상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제1하부 및 제1상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와; 상기 반도체층의 소정 부분에 소정 거리 이격되어 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제2하부 및 제2상부 게이트절연층, 상기 제2상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제2하부 및 제2상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와; 상기 반도체층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제2도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와; 상기 반도체층의 소정 부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸는 제2도전형의 불순물이 고농도로 연결되도록 형성된 히터와; 상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연결되게 형성된 소자분리영역을 구비한다. 따라서, 구조가 간단하기 때문에 유지보수가 용이하고, 그 특성이 안정되어 정밀한 수소 농도의 측정이 가능하며, 지속적으로 수소 농도를 측정할 수 있기 때문에 실시간 원거리에서의 감시가 가능하고, 또한, 가격면에 있어서도 매우 저렴함은 물론 대량 생산이 가능하다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01F 27/12 (2006.01.01) H01F 27/40 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7835(2013.01) H01L 29/7835(2013.01) H01L 29/7835(2013.01) H01L 29/7835(2013.01) H01L 29/7835(2013.01)
출원번호/일자 1019960023699 (1996.06.25)
출원인 한국전력공사, 주식회사 써미트, 대한민국(경북대학교 총장)
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0005966 (1998.03.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.06.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 주식회사 써미트 대한민국 경기 광명시 광
3 대한민국(경북대학교 총장) 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남창현 대한민국 대전광역시 서구
2 최시영 대한민국 대구광역시 남구
3 김상돈 대한민국 인천광역시 부평구
4 임한귀 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1996-0088388-79
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1996-0088389-14
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.06.25 수리 (Accepted) 1-1-1996-0088390-61
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0088391-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0446708-88
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0065021-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0113412-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.10.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0124000-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.10.05 수리 (Accepted) 4-1-1999-0124229-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2001-0141382-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판에 형성된 매몰산화층과, 상기 매몰산화층의상부에 의해 상기 반도체기판과 전기적으로 절연되도록 형성된 제1도전형의 반도체층과, 상기 반도체층의 소정 부분에 소정 거리 이격되어 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제1소오스 및 제1드레인, 상기 제1소오스와 제1드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제1하부 및 제1상부 게이트절연층, 상기 제1상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제1하부 및 제1상부 게이트금속을 갖는 센싱 트랜지스터와, 상기 반도체층의 소정 부분에 소정 거리 이격되어 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 형성된 제2소오스 및 제2드레인, 상기 제2소오스와 제2드레인 사이의 상기 반도체층의 상부에 연속해서 형성된 제2하부 및 제2상부 게이트절연층, 상기 제2상부 게이트절연층의 상부에 형성된 제2하부 및 제2상부 게이트금속을 갖는 레퍼런스 트랜지스터와, 상기 반도체층의 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터 사이에 제 2 도전형의 고농도로 도핑되어 형성된 다이오드와, 상기 반도체층의 소정 부분에 상기 센싱 트랜지스터와 레퍼런스 트랜지스터의 주위를 에워싸도록 제2도전형의 불순물이 고농도로 연결되게 형성된 히터와, 상기 센싱 트랜지스터, 레퍼런스 트랜지스터, 다이오드 및 히터 각각의 소자를 전기적으로 분리하도록 상기 소자들 사이에 상기 매몰산화층과 연결되게 형성된 소자분리영역을 구비하는 변압기 절연유중의 수소 가스를 감지하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

2 2

제1항에 있어서, 상기 센싱 트랜지스터의 제1하부 게이트금속이 백금으로 이루어지고, 제1 상부 게이트금속이 파라듐으로이루어지는 변압기 절연유 중의 수소 가스를 감시하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1상부 게이트금속의 상부에 절연유의 접촉에 의한 소자의 열화를 방지하는 다공성 멤브레인층이 형성된 변압기 절연유 중의 수소가스를 감시하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2하부 게이트절연층이 SiO₂로 이루어지고, 제1 및 제2상부 게이트절연층이 Si3N4로 이루어지는 변압기 절연유 중의 수소가스를 감시하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

5 5

제1항에 있어서, 상기 소자분리영역이 산화막으로 이루어진 변압기 절연유 중의 수소 가스를 감시하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

6 6

제1항에 있어서, 상기 소자분리영역에 식각영역으로 이루어진 변압기 절연유 중의 수소가스를 감시하는 고감도 저 드레프트 Pd/Pt MISFET형 센서

7
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.