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반도체 소자 제조방법에 있어서,기판상에 GaN층을 형성하는 단계;기 설정된 패턴을 갖는 마스크층을 상기 GaN층 상에 형성하여, 기설정된 소스 구조, 드레인 구조 및 채널 구조가 되도록 상기 GaN층을 건식 식각하는 단계;상기 채널 구조에 해당하는 GaN층의 폭이 상기 채널 구조에 해당하는 GaN층 상에 형성된 마스크 층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 상기 GaN층의 측면을 TMAH(tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액으로 습식 식각하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계;상기 채널 구조에 해당하는 GaN층을 둘러싸는 형태로 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 건식 식각하는 단계는,상기 채널 구조에 해당하는 GaN층의 측면이 질소면(nitrogen face)이 되도록 식각하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널 구조에 해당하는 GaN층을 둘러싸는 형태로 제2 반도체층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 게이트 절연막은,상기 채널 구조에 해당하는 GaN층을 둘러싸는 상기 제2 반도체층을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 습식 식각하는 단계는,상기 채널 구조에 해당하는 GaN층의 폭이 50nm 내지 400nm가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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삭제
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제2항에 있어서,상기 제2 반도체층은 AlGaN 또는 AlN로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널 구조에 해당하는 GaN층의 일부가 관통되도록 상기 GaN층의 기 설정된 하부 영역을 식각하는 단계;를 더 포함하며,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는,상기 관통된 영역을 통과하며 상기 GaN층을 둘러싸는 형태로 게이트 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 관통된 영역을 통과하며 상기 GaN층을 둘러싸는 형태로 제2 반도체층을 형성하는 단계;를 더 포함하며,상기 게이트 절연막은,상기 GaN층을 둘러싸는 상기 제2 반도체층을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소스 구조와 상기 드레인 구조에 해당하는 GaN층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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