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코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드콘택 형성방법

  • 기술번호 : KST2015111439
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성에 있어서, 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드(epitaxial cobalt disilicide)의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인(source/drain) 및 폴리실리콘 게이트(poly-silicon gate) 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위해 실리사이드(silicide) 공정을 이용한 단결정 CoSi2층을 형성시키는데 있어 코발트-카본 합금박막을 코스퍼터링(co-sputtering)방법에 의해 상온 혹은 350 ℃ 이하의 기판온도에서 증착하거나, 화학기상증착법에 의해 기판온도 350℃ 정도에서 코발트-카본 합금박막을 증착한 다음 보호층을 사용하지 않고 후속 급속열처리 공정에 의하여 (100) 방위를 가지는 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 화합물인 CoSi2층을 직접 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 종래의 방법에서 사용하던 중간층 증착 및 보호층 증착 공정들을 모두 생략할 수 있어 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있으며 기존의 방법보다도 단결정이나 단결정에 가까운 에피택시층의 CoSi2층을 성장시킴으로써 도포성(step coverage)이 우수하여 기가디램급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01)
출원번호/일자 1019980042816 (1998.10.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0280102-0000 (2000.11.07)
공개번호/일자 10-2000-0025656 (2000.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 이화성 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1998-0381678-24
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1998-0349893-94
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1998-0349892-48
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0204956-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

카본이 포함된 코발트를 실리콘 기판(1)위에 증착시킨 후 고온의 급속열처리에 의하여 모스 트랜지스터의 소스/드레인에 에피택시층 CoSi2층(7)을 형성시키고 폴리실리콘 게이트에 단결정 CoSi2층(7)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 카본이 포함된 코발트를 실리콘 기판위에 증착시키기 위하여 비스시클로펜타디에닐코발트(biscyclopentadienyl cobalt, (C5H5)2Co) 또는 시클로펜타디에닐코발트디카보닐(cyclopentadienylcobalt dicarbonyl, C5H5Co(CO)2)을 사용하는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

3 3

제 1항에 있어서, 카본이 포함된 코발트를 증착하는 방법은 화학기상증착법외에 스퍼터링(sputtering)이나 진공증발법(evaporation)으로 카본이 포함된 코발트-카본합금박막(8)을 이용하는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

4 4

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 코발트 대 카본의 조성비는 코발트 대 카본을 1 대 1 또는 2대 1로 하는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

5 5

제 1항에 있어서, 700∼800℃의 온도에서 급속 열처리하여 15∼20 μΩ·㎝의 비 저항값을 갖는 CoSi2층(7)을 형성하는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

6 6

제 3항에 있어서, 이의 응용으로서 코발트-카본 합금박막(8) 대신에 카본을 실리콘 기판(1)위에 증착하고 그 위에 코발트를 증착한 후, 열처리에 의하여 단결정 CoSi2층(7)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 코발트-카본 합금박막을 이용한 단결정 코발트다이실리사이드 콘택 형성방법

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1 WO2000022659 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO0022659 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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