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선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015112355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 본 발명은, 반도체 소자의 금속 배선과 MEMS 구조체 제작에 있어서, 도금 억제를 위해 절연 물질을 도포하는 다마신(damascene) 공정을 수행함으로써 화학적 기계적 연마 또는 추가적 리소그라피 작업 없이 원하는 곳에만 반도체 금속 배선을 제작하도록 함으로써, 안정적이고 비용 측면에서도 효과적이며, 간편한 공정을 제시하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체 기판상의 절연층에 구비된 비아와 트렌치에 금속 배선을 형성하는 방법에 있어서, (a) 상기 비아와 트랜치가 구비된 제1 절연층의 전면에 금속 시드층을 증착하는 단계; (b) 상기 금속 시드층에 선택적으로 절연 물질을 접촉 인쇄하여 제2 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속 시드층에 전기 도금을 통하여 비아와 트렌치를 금속으로 채우는 단계; (d) 상기 제2 절연층을 제거하는 단계; (e) 상기 제2 절연층 아래의 상기 금속 시드층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.반도체, 소자, 금속, 배선, 도금, 절연, 다마신, 절연층, 시드층, 도포
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050038722 (2005.05.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0639073-0000 (2006.10.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최태훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 이형석 대한민국 대전광역시 유성구
3 장성일 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2005-0243569-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0025647-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0263005-20
5 의견서
Written Opinion		 2006.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0413870-70
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0413890-83
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0603841-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
반도체 기판상의 절연층에 구비된 비아와 트렌치에 금속 배선을 형성하는 방법에 있어서,(a) 상기 비아와 트랜치가 구비된 제1 절연층의 전면에 금속 시드층을 증착하는 단계;(b) 상기 금속 시드층에 선택적으로 절연 물질을 접촉 인쇄하여 제2 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속 시드층에 전기 도금을 통하여 비아와 트렌치를 금속으로 채우는 단계;(d) 상기 제2 절연층을 제거하는 단계; 및(e) 상기 제2 절연층 아래의 상기 금속 시드층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 절연층은,실리콘 산화물, 질화물, 포토레지스트 또는 유기 폴리머중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 절연 물질은, 접착력이 잇는 잉크 또는 SAM(Self Assembled Monolayer) 물질인 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 접촉 인쇄는, 롤러 또는 스탬프를 이용하는 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 절연층을 제거하는 방법은, 전용 용매를 사용해 습식 식각하는 방법, 건식 식각하는 방법, 또는 약한 연마로 제거하는 방법중 적어도 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (e)단계 이후,(f) 평탄도를 향상시키기 위하여 화학적 기계적 연마 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 다마신을 이용한 반도체 금속 배선의 형성방법
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1 US2006258144 US 미국 DOCDBFAMILY
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