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화학기상증착법에의한코발트다이실리사이드콘택형성방법

  • 기술번호 : KST2015119198
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학기상증착법에 의한 코발트다이실리사이드 (cobalt disilicide) 증착과 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스(source)(15)드레인(drain)(30) 및 게이트(gate)(3) 전극의 접촉저항과 비저항을 감소시키기 위한 실리사이드 (silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판온도 600℃ 이상에서 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi2(7)를 직접 형성시킴으로서, 후속공정인 열처리 및 보호막 증착 공정들을 생략할 수 있어 실리사이드 형성공정을 단순화시킬 수 있다. 이와 같은 화학기상증착법은 도포성(step coverage)이 우수하여 기가디램(Giga D RAM)급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다. 또한 기존의 콘택형성 공정보다도 공정온도가 낮고 단결정이나 단결정에 가까운 에피택시층(epitaxial layer)의 CoSi2(7)를 성장시킴으로써 소스(15), 드레인(30)에서의 특성이 우수한 콘택을 형성시킬수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/665(2013.01) H01L 29/665(2013.01)
출원번호/일자 1019980019299 (1998.05.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0296117-0000 (2001.05.07)
공개번호/일자 10-1999-0086355 (1999.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20011026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.05.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시 유성구
2 이화성 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0061016-14
2 특허출원서
Patent Application		 1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0061015-68
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1998-0061017-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0163434-63
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2000-5270097-48
11 의견서
Written Opinion		 2000.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5296487-49
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5296488-95
13 등록사정서
Decision to grant		 2001.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0025677-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학기상증착법을 이용한 MOS 트랜지스터의 소스, 드레인, 게이트에 코발트 다이실리사이드 콘택형성 방법에 있어서, 코발트-금속유기물 소스를 반응기에 주입하여 증착온도를 600℃ 이상으로 하여 코발트를 증착하는 단계와, 전기 단계에 의해 소스(15), 드레인(30)에 에피택시층 CoSi2(7)를 형성시키고, 게이트(3)에 다결정 CoSi2(7)를 형성시키는 단계와, 산화막 위의 코발트 금속을 에칭하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 코발트다이실리사이드 콘택형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, CoSi2(7) 형성단계에서 코발트-금속유기물소스로 비스시클로펜타디에닐코발트[(C5H5)2Co], 코발트트리카보닐나이트로실[Co(CO)3NO], 시클로펜타디에닐코발트카보닐[C5H5Co(CO)2], 코발트카보닐[Co2(CO)8], 테트라코발트도데카카보닐[Co4(CO)12]에서 선택된 1종임을 특징으로 하는 코발트다이실리사이드 콘택형성방법

3 3

제 1 항에 있어서, 화학기상증착법으로 CoSi2(7) 형성 후 반응기 내에서 열처리 또는 급속열처리하여 더욱 안정된 비저항을 갖는 CoSi2(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 코발트다이실리사이드 콘택형성방법

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2 WO9962109 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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