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우선배향성을갖는PZT및PLZT박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015111337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 졸-겔 공정(sol-gal process)을 이용하여 원하는 우선 배향성(preferred orientation)을 나타내는 PZT(PbZrxTi1-xO3 : 지르콘산납-티난산납) 및 PLZT(Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 : 란탄산납-지르콘산납-티탄산납) 박막을 제조하는 방법이 제공된다. 졸-겔 공정을 이용하여 PZT 박막을 제조함에 있어서, 건조 온도를 특정함으로써 원하는 우선 배향성을 나타내는 PZT 박막을 제조할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 건조 온도를 330℃로 하여 제조된 PZT 박막은(111) 평면 방향으로의 우선 배향성을 나타낸다. 또한, 씨앗층을 이용하여 PLZT 박막을 제조하는 경우, 씨앗층의 두께와 열처리 조건을 변화시킴으로써 변화된 우선 배향성을 나타내는 PLZT 박막을 제조할 수 있다. 바람직한 실시예에 따르면, 씨앗층의 두께를 56nm로 하고 소결 처리한 경우(100) 방향으로의 우선 배향성을 나타내는 PLZT 박막을 얻게 된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01) C04B 35/491 (2006.01.01) C04B 41/87 (2006.01.01) C04B 35/64 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01) H01L 21/02112(2013.01)
출원번호/일자 1019940013312 (1994.06.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0000820 (1996.01.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.06.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광수 대한민국 대전직할시유성구
2 김창정 대한민국 대전직할시유성구
3 이준성 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.06.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0061113-96
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.06.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0061114-31
3 특허출원서
Patent Application		 1994.06.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0061112-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0034325-28
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1996.10.31 수리 (Accepted) 1-1-1994-0061115-87
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1996.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0061116-22
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0034326-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

졸-겔 공정을 이용하여 PZT(PbZrxTi1-xO3 : 지르콘산납-티난산납; 여기에서 0〈x〈1) 박막을 제조하는 방법에 있어서, (a) 납(Pb), 지르콘(Zr) 및 티탄(Ti)성분 화합물인 출발 물질(또는 선구 물질)로부터 기판위에 코팅하기 위한 코팅 용액을 제조하는 단계, (b) 백금(Pt)과 티탄(Ti)이 증착된 기판을 세척하는 단계, (c) 상기 기판 위에 상기 코팅 용액을 떨어뜨리고, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판상에 박막을 형성시키는 단계, (d) 형성된 상기 박막을 건조하여 우선 배향성을 갖게 하는 단계 및 (e) 건조된 상기 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT 박막의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 단계(d)는 330℃에서 5분 동안 건조하여 (111) 방향의 우선 배향성을 얻는 것인 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 단계(d)는 350℃에서 5분 동안 건조하여 (100) 방향의 우선 배향성을 얻는 것인 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 단계(e)는 금속 가열 수단을 이용하여 650℃에서 1분간 수행하는 것인 방법

5 5

졸-겔 공정을 이용하여 PLZT(Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 : 란탄산납-지르콘산납-티탄산납; 여기서 0〈x〈1 그리고 0〈y〈1) 박막을 제조하는 방법에 있어서, (a) 씨앗층(seeding layer)의 성분을 포함하는 제1코팅용액을 제조하는 단계, (b) PLZT 박막의 성분을 포함하는 제2코팅 용액을 제조하는 단계, (c) PLZT 박막을 형성하기 위한 기판을 세척하는 단계, (d) 상기 기판위에 상기 제1코팅 용액을 떨어뜨리고, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판상에 우선 배향성을 갖는 제1박막을 형성시키는 단계, (e) 형성된 상기 제1박막을 350℃에서 5분 동안 건조시키는 단계, (f) 상기 제1박막위에 제2코팅 용액을 떨어뜨리고, 상기 기판을 회전시켜 상기 기판상에 제2박막을 형성시키는 단계, (g) 형성된 상기 제2박막을 350℃에서 5분 동안 건조시키는 단계 및 (h) 건조된 상기 제2박막을 열처리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PLZT 박막의 제조 방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 단계 (e)와 (f) 사이에 (i) 상기 건조된 제1박막을 열처리하여 (100) 방향의 우선 배향성을 갖는 씨앗층을 형성시키는 단계를 포함하는 것인 방법

7 7

제5항에 있어서, 상기 제1코팅 용액은 란탄(La)/지르콘(Zr)/티탄(Ti)의 비가 14/0/100인 PLZT(14/0/100)의 조성인 것인 방법

8 8

제5항에 있어서, 상기 기판은 단계(d)와 단계(f)에서 3000rpm으로 30초동안 회전되는 것인 방법

9 9

제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 단계(h)와 (i)는 600℃에서 30분간 유지됨으로써 소결되는 것인 방법

10
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.