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수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015135124
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 자기 이방성을 이용한 메모리 소자에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 전류인가형 자구벽 이동 기술을 위한 다층박막 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자는 비자성층, 비자성층 사이에 형성된 제1 자성층 및 제1 자성층 사이에 형성된 제2 자성층을 포함하고, 제2 자성층의 포화자화값은 제1 자성층의 포화자화값 미만인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 기존의 Pt/Co/Pt 구조에 비해 자성층의 두께가 두꺼워지더라도 수직자성을 유지할 수 있어 낮은 전류밀도에서 자구 벽 이동이 가능하므로, 자구 이동효율을 더욱 향상 시킬 수 있다. 또한, Pt/Co/Ni/Co/Pt의 심플한 구조로 구현하여 계면 수를 최소화 함으로서 기존의 Co/Ni 다층박막 구조보다 자구 벽 이동효율을 향상 시킬 수 있다. 자구 벽 메모리(Magnetic Domain wall memory), 자구 벽 이동(Magnetic Domain wall-motion), 수직 자기 이방성(Perpendicular Magnetic Anisotropy)
Int. CL G11C 11/15 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020090022811 (2009.03.17)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0104413 (2010.09.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석봉 대한민국 서울 관악구
2 이재철 대한민국 인천 남동구
3 이강수 대한민국 서울 관악구
4 김갑진 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0161863-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0064653-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0493314-34
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0116278-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
1 1
비자성층; 상기 비자성층 사이에 형성된 제1 자성층; 및 상기 제1 자성층 사이에 형성된 제2 자성층을 포함하고, 상기 제2 자성층의 포화자화값은 상기 제1 자성층의 포화자화값 미만인, 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 비자성층은 Pt 또는 Pd을 포함하는, 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 1 자성층은 Co 또는 Co계 합금을 포함하고, 상기 제2 자성층은 Ni 또는 Ni계 합금을 포함하는, 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 자성층은, 상기 제2 자성층의 상부에 적층된 제1 상부 자성층; 및 상기 제2 자성층의 하부에 적층된 제1 하부 자성층을 포함하고, 상기 비자성층은, 상기 제1 상부 자성층의 상부에 적층된 상부 비자성층; 및 상기 제1 하부 자성층의 하부에 적층된 하부 비자성층을 포함하는, 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자
5 5
Pt 또는 Pd을 포함하는 비자성층; 상기 비자성층 사이에 형성되고, Co 또는 Co계 합금을 포함하는 제1 자성층; 및 상기 제1 자성층 사이에 형성되고, Ni 또는 Ni계 합금을 포함하는 제2 자성층을 포함하는, 수직 자기 이방성을 이용한 자기 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교산학협력단 국가지정 연구실사업 차세대 3차원-적층 소자를 위한 나노선폭 자구벽 기술