| 1 |
1
3차원 구조의 표면 형태를 가지며, 비극성 질화물 반도체로 이루어진 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층;상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층 표면의 적어도 일부 위에 형성된 것으로, 다수의 고체입자로 이루어진 제1 구조물층; 상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층 및 상기 제1 구조물층 위에 형성된 제1 비극성 질화물 반도체층:상기 제1 비극성 질화물 반도체층 위에 형성된 것으로, 3차원 구조의 표면 형태를 가지며, 비극성 화합물 반도체로 이루어진 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층;상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층 표면의 적어도 일부 위에 형성된 것으로, 다수의 고체입자로 이루어진 제2 구조물층; 및상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층 및 상기 제2 구조물층 위에 형성된 제2 비극성 질화물 반도체층;을 포함하며,상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에는 다수의 인입부가 형성되어 있고,상기 제1 구조물층의 다수의 고체입자는 상기 다수의 인입부 내에 배치되며, 상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에는 다수의 인입부가 형성되어 있고,상기 제2 구조물층의 다수의 고체입자는 상기 다수의 인입부 내에 배치되며,상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에 형성된 다수의 인입부와 상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에 형성된 다수의 인입부는 서로 어긋나게 배치되며,상기 제1 구조물층의 다수의 고체입자와 상기 제2 구조물층의 다수의 고체입자는 크기 또는 형상이 서로 다른, 반도체 소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 고체입자는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 이트리아(Y2O3)-지르코니아, 산화구리(CuO, Cu2O) 및 산화탄탈륨(Ta2O5) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 반도체 소자
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제1 구조물층의 고체입자는 구형 또는 다면체 형상을 갖는 반도체 소자
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 고체입자의 굴절률은 상기 제1 비극성 질화물 반도체층의 굴절률과 다른 값을 갖는 반도체 소자
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 제1 구조물층의 고체입자는 구형 셸(shell) 또는 다면체 셸 형상을 갖는 반도체 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 셸의 두께는 상기 고체 입자의 반경의 3%에서 50% 범위의 값을 갖는 반도체 소자
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 셸의 내부에는 기체가 트랩되어 있는 반도체 소자
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 고체입자는 제1 비극성 질화물 반도체층의 굴절률과 같은 값 또는 다른 값을 갖는 반도체 소자
|
| 14 |
14
제1항, 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 하부에 기판이 더 구비되는 반도체 소자
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 기판은 Al2O3, Si, SiC, SiGe, Ge, GaAs, InP, GaN, InAs, GaP 또는 GaSb 중 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어지는 반도체 소자
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 기판과 상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층 사이에 버퍼층이 더 구비되는 반도체 소자
|
| 17 |
17
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 3차원 구조의 표면 형태를 가지며, 비극성 질화물 반도체로 이루어지며, 다수의 인입부를 가지는 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 다수의 인입부 내에 다수의 고체입자로 이루어진 제1 구조물층을 형성하는 단계;상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층 및 상기 제1 구조물층 위에 제1 비극성 질화물 반도체층을 형성하는 단계:상기 제1 비극성 질화물 반도체층 상에 3차원 구조의 표면 형태를 가지며, 비극성 질화물 반도체로 이루어지며, 다수의 인입부를 가지는 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 다수의 인입부 내에 다수의 고체입자로 이루어진 제2 구조물층을 형성하는 단계;상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층 및 상기 제2 구조물층 위에 제2 비극성 질화물 반도체층을 형성하는 단계:를 포함하며,상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에 형성된 다수의 인입부와 상기 제2 비평탄 비극성 질화물 반도체층의 표면에 형성된 다수의 인입부는 서로 어긋나게 배치되며,상기 제1 구조물층의 다수의 고체입자와 상기 제2 구조물층의 다수의 고체입자는 크기 또는 형상이 서로 다른, 반도체 소자 제조방법
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
제17항에 있어서,상기 제1 비극성 질화물 반도체층을 형성하는 단계는상기 제1 구조물층을 마스크로 사용하여 상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층으로부터의 측면 과성장(epitaxial lateral overgrowth, ELO)을 유도하는 반도체 소자 제조방법
|
| 21 |
21
제17항에 있어서,상기 기판과 상기 제1 비평탄 비극성 질화물 반도체층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 반도체 소자 제조방법
|
