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자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체들을 포함하며,상기 자성 박막 구조체들 중 신호출력 자성 박막 구조체를 기준으로 적어도 양측 이상에 배열된 신호주입 자성 박막 구조체에 인가된 자기소용돌이 핵의 회전운동이 그와 이웃한 신호출력 자성 박막 구조체에 자기소용돌이 핵의 회전운동을 유발시킬 경우 상기 신호출력 자성 박막 구조체에서 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2에 있어서,상기 신호출력 자성 박막 구조체의 자기소용돌이 핵의 운동 유무에 따라 정보 출력 유무를 판독하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 3에 있어서,상기 신호출력 자성 박막 구조체의 자기소용돌이 핵의 운동 유무를 시간에 따른 핵의 위치 변화에 따른 자기저항값의 변화를 측정하여 상기 신호주입 자성 박막 구조체를 통해 전달된 신호 출력 유무를 판독하는 것을 특징으로 하는 것을 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 자성 박막 구조체들은,홀수(2n+1, n은 1 이상의 자연수)로 형성되며, 상기 신호출력 자성박막은, 상기 홀수의 자성 박막 구조체들 중 중앙에 배열되며,상기 신호주입 자성박막은, 상기 신호출력 자상박막의 배열을 기준으로 최외각의 양쪽에 각각 배열된 자성박막인 제 1 신호주입 자성박막 및 제 2 신호주입 자성박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 제 1 신호주입 자성박막 및 상기 제 2 신호주입 자성박막 중 하나로만 자기소용돌이 핵의 회전운동이 주입되고 상기 제 1 신호주입 자성 박막 구조체 및 상기 제 2 신호주입 자성박막의 수직 자화 방향이 같은 경우, 상기 신호출력 자성 박막 구조체로 자기소용돌이 핵의 회전운동이 유발되어 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 6에 있어서, 상기 제 1 신호주입 자성박막 및 상기 제 2 신호주입 자성박막 중 모두에 자기소용돌이 핵의 회전운동이 주입되거나 주입되지 않은 경우, 상기 신호출력 자성 박막 구조체로 상기 자기소용돌이 핵의 회전운동이 유발되지 않아 신호가 출력되지 않는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 5에 있어서, 상기 제 1 신호주입 자성박막 및 상기 제 2 신호주입 자성박막 중 적어도 어느 하나에 대해 자기소용돌이 핵의 회전운동이 주입되고, 상기 제 1 신호주입 자성 박막 구조체 및 상기 제 2 신호주입 자성박막의 수직 자화 방향이 다른 경우, 상기 신호출력 자성 박막 구조체로 상기 자기소용돌이 핵의 회전운동이 유발되어 신호가 출력되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 제 1 신호주입 자성박막 및 상기 제 2 신호주입 자성박막 중 모두에 자기소용돌이 핵의 회전운동이 주입되지 않은 경우, 상기 신호출력 자성 박막 구조체로 상기 자기소용돌이 핵의 회전운동이 유발되지 않아 신호가 출력되지 않는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2항에 있어서, 상기 신호주입 자성 박막 구조체에 자기소용돌이 핵의 회전운동을 인가하는 방법은, 상기 신호 주입 자성 박막 구조체의 자기소용돌이 핵의 위치를 중앙으로부터 이탈시킴에 의한 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 10에 있어서, 상기 신호주입 자성 박막 구조체에 자기소용돌이 핵의 회전운동을 인가하는 방법은, 자기장 또는 전류를 인가함에 의한 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 11에 있어서, 상기 자기장을 인가하는 방법은 선형 자기장, 펄스 자기장 또는 편향 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 11에 있어서, 상기 전류를 인가하는 방법은 선형 전류, 펄스 전류, 원편향 전류 또는 수직 전류를 이용하는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2에 있어서,상기 신호 주입 자성 박막 구조체들의 자기소용돌이 핵의 자화 방향을 변환시킴으로써 논리 연산을 조절할수 있는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 14에 있어서,상기 자성 박막 구조체들의 자기소용돌이 핵의 자화 방향은 자성 박막 구조체에 전류 또는 자기장을 인가하여 상기 자기소용돌이 핵을 임계속도 이상으로 회전시킴에 의해 전환되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 15에 있어서,상기 자기소용돌이 핵의 자화 방향을 전환시키기 위하여 인가되는 전류 및 자기장은 각각 원형광 전류 및 원편광 자기장인 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2에 있어서,상기 자성 박막 구조체는 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 철-니켈 합금, 철-니켈 코발트 합금, 철-니켈-몰리브덴 합금 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2항에 있어서,상기 자성 박막 구조체들은 원형, 타원형, 다각형 및 고리형으로 이루어진 군에서 선택되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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청구항 2항에 있어서,상기 자성 박막 구조체들은 선형, 평면형 또는 입체형으로 배열되는 것을 특징으로 하는 자기소용돌이 구조를 갖는 자성 박막 구조체를 이용한 논리 소자
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