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피결정화막이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계;
상기 피결정화막에 제1 레이저를 제1 투과 영역과 제1 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제1 마스크를 통해 조사하여, 상기 피결정화막을 결정화시키는 제1 결정화 단계; 및
상기 제1 레이저가 조사된 피결정화막에 제2 레이저를 제2 투과 영역과 제2 비투과 영역 패턴이 형성되어 있는 제2 마스크를 통해 조사하되, 상기 제2 투과 영역 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융(complete melting)되고 상기 제2 비투과 영역 패턴 아래의 피결정화막 부분은 완전 용융되지 않도록 상기 제2 레이저를 조사하여, 상기 피결정화막을 결정화시키는 제2 결정화 단계;를 포함하고,
상기 제2 비투과 영역 패턴은 상기 제1 비투과 영역 패턴과 동일한 형태로 구성되되, 상기 제2 비투과 영역 패턴이 상기 피결정화막 중 단결정이 형성되어 있는 부분의 상부에 정렬되어 상기 제1 비투과 영역 패턴과 어긋나게 정렬되도록 상기 제2 마스크를 배치하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 비투과 영역 패턴은 상기 제1 레이저의 해상도 한계 크기보다 작고, 상기 제2 비투과 영역 패턴은 상기 제2 레이저의 해상도 한계 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 제2 비투과 영역 패턴과 상기 제1 비투과 영역 패턴의 어긋난 정도가 인접한 두 개의 제1 비투과 영역 패턴 사이의 거리의 절반이 되도록, 상기 제2 마스크를 배치하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 제2 비투과 영역 패턴과 상기 제1 비투과 영역 패턴의 어긋난 정도가 상기 제1 결정화 단계 수행시 형성되는 시드(seed)의 크기보다는 크고, 인접한 두 개의 제1 비투과 영역 패턴 사이의 거리의 절반보다는 작게 되도록, 상기 제2 마스크를 배치하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 레이저와 상기 제2 레이저는 동일한 에너지 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 비투과 영역 패턴은 라인(line)을 정의하는 패턴 또는 도트(dot)를 정의하는 패턴으로 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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9
제8항에 있어서,
상기 도트(dot)는 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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10
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 투과 영역과 상기 제2 투과 영역은 핵생성(nucleation)이 발생되지 않는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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11
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 피결정화막은 a-Si 박막, poly-Si 박막, a-Ge 박막, poly-Ge 박막, a-SixGey 박막, poly-SixGey 박막, a-GaNx 박막, poly-GaNx 박막, a-GaxAsy 박막 및 poly-GaxAsy 박막을 포함하는 3족과 5족 물질 박막 및 그 화합물 박막으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 박막인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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12
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 피결정화막은 금속 박막 또는 금속과 반도체의 화합물 박막인 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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제12항에 있어서,
상기 금속 박막은 Al, Cu, Ti, W, Au 및 Ni으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 박막 형성방법
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