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재료 합성과 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학기상 증착 장치

  • 기술번호 : KST2015142797
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른, 재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치는 기판 상에 원하는 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로; 도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 연결시키는 연결부; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부; 및 상기 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부; 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부; 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 상기 게이트 밸브는, 상기 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 상기 제 2 반응로에서의 도핑 중에는 상기 제 1 반응로와 상기 제 2 반응로를 서로 폐쇄시키며 상기 기판을 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로 개방시킨다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01) C23C 16/54(2013.01)
출원번호/일자 1020050133290 (2005.12.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0748355-0000 (2007.08.03)
공개번호/일자 10-2007-0070591 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강대준 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김근수 대한민국 경기도 군포시
3 조영상 대한민국 인천광역시 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남상선 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0777578-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0079389-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0024253-87
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0212963-48
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0288837-18
7 의견서
Written Opinion		 2007.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0357800-26
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0357801-72
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0418272-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착(thermal chemical vapor deposition) 장치로서, 상기 장치는나노 재료층을 합성하기 위한 반응로이며, 기판 상에 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로;도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로;상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 연결시키는 연결부;상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부; 및상기 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부; 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부; 및상기 제 2 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 2 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 상기 게이트 밸브는, 상기 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 상기 제 2 반응로에서의 도핑 공정 중에는 폐쇄되어 상기 제 1 반응로와 상기 제 2 반응로를 서로로부터 차단되게 하며 상기 기판을 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 개방되어 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로 연결시키며, 상기 장치는 상기 기판 및 상기 재료를 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 내부로 로딩(loading)하거나 또는 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로로부터 반출(unloading)하기 위한 로드 록(load rock) 시스템, 및 상기 게이트 밸브를 냉각시키기 위한 냉각 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 냉각 시스템은 상기 게이트 밸브를 냉각시키기 위한 냉각제를 공급하는 냉각제 공급부; 상기 냉각제 공급부에 의하여 상기 냉각제가 상기 게이트 밸브에 공급되는지 여부를 감지하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 냉각제는 냉각수이며 상기 센서는 수압 센서인 것을 특징으로 하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가열 수단 및 상기 제 2 가열 수단은 칸탈 와이어 열선을 포함하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가열 수단 및 상기 제 2 가열 수단은 할로겐 램프를 포함하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 반응 가스 공급부는 유량 제어기(mass flow controller; MFC)를 포함하며,상기 유량 제어기는 반응 가스가 상기 반응 가스 공급부로부터 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로로 병렬로 공급되도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 이중영역 열 화학 기상 증착 장치
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제 1 항에 따른 이중영역 열 화학 기상 증착 장치를 사용하여 기판상에 재료를 합성하고 연속 도핑하는 방법으로서, 상기 방법은제 1 온도로 제 1 반응로를 가열하고 제 2 온도로 제 2 반응로를 가열하는 단계;예정된 유량으로 반응 가스를 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로에 공급하는 단계;예정된 유량으로 도핑 가스를 상기 제 2 반응로에 공급하는 단계;기판 및 나노 재료를 제 1 반응로에 로딩하여 상기 기판 상에 상기 재료층을 열 화학 기상 증착하는 단계;게이트 밸브를 개방하고 상기 기판을 상기 제 2 반응로에 로딩하는 단계;상기 게이트 밸브를 폐쇄하고 상기 제 2 반응로에서 상기 도핑 가스로 상기 기판상에 합성된 재료층을 도핑하는 단계를 포함하는, 재료 합성 및 연속 도핑 방법
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제 10 항에 있어서,상기 제 1 온도는 상기 제 2 온도 보다 높으며 상기 제 1 반응로의 압력과 상기 제 2 반응로의 압력을 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는, 재료 합성 및 연속 도핑 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.