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유기물 제거제, 금속 흡착 방지용 착화제, 알칼리 용액 및 물로 이루어지되, 상기 유기물 제거제는 노말 메틸 피롤리돈(NMP)이고, 상기 금속 흡착 방지용 착화제는 L-글루탐산, K-글루콘산염 및 에틸렌디아민 테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 상기 알칼리 용액은 상기 유기물 제거제와 혼합되어 pH가 8 ~ 12가 되도록 첨가된 이후에 상기 금속 흡착 방지용 착화제와 혼합되어 pH가 8 ~ 12가 되도록 첨가되어 상기 유기물 제거제와 금속 흡착 방지용 착화제가 서로 반응하여 침전물이 형성되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널 세정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 유기물 제거제는 상기 물에 대해 0
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제1항에 있어서,상기 금속 흡착 방지용 착화제는 상기 조성물 내에서의 농도가 0
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제1항에 있어서,상기 알칼리 용액은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산염, 인산염, 수산화테트라메틸암모늄 및 수산화테트라에틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널 세정용 조성물
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제1항에 있어서,상기 세정용 조성물은 부식방지제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널 세정용 조성물
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제8항에 있어서,상기 부식방지제는 벤조트리아졸(benzotriazole), 5-아미노테트라졸(5-aminotetrazole) 및 3-아미노-1,2,4-트리아졸(3-amino-1,2,4-triazole)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널 세정용 조성물
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유기물 제거제를 물과 혼합한 후 유기물 제거제와 물의 혼합용액의 pH가 8 ~ 12가 되도록 알칼리 용액을 첨가하는 단계; 및 상기 알칼리 용액 첨가 후 금속 흡착 방지용 착화제를 첨가하고 pH가 8 ~ 12가 되도록 알칼리 용액을 첨가하는 단계;를 포함하되, 상기 유기물 제거제는 노말 메틸 피롤리돈(NMP)이고, 상기 금속 흡착 방지용 착화제는 L-글루탐산, K-글루콘산염 및 에틸렌디아민 테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 상기 유기물 제거제와 금속 흡착 방지용 착화제가 서로 반응하여 침전물이 형성되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 디스플레이 패널 세정용 조성물의 제조방법
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