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열 흐름 제어 장치

  • 기술번호 : KST2019011513
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 열 흐름 제어 장치가 개시된다. 개시된 열 흐름 제어 장치는 매트릭스 내에 형성된 반도체 소자 영역으로부터 발생하는 열을 외부로 방향성을 지니도록 방출시키거나 외부의 열이 반도체 소자 영역으로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 열 흐름 제어 장치는 상기 반도체 소자 영역과 인접하여 형성된 열 정류자 영역 및 상기 반도체 영역 또는 열 정류자 영역과 접하는 적어도 일 영역에 형성된 열 흐름 차단부를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140092159 (2014.07.21)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0011103 (2016.01.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박연상 대한민국 서울특별시 동작구
2 이병호 대한민국 서울특별시 관악구
3 황성우 대한민국 서울특별시 강남구
4 노영근 대한민국 서울특별시 송파구
5 이장원 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0684993-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0710335-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0160628-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
매트릭스 내에 형성된 반도체 소자 영역;상기 반도체 소자 영역과 인접하여 형성된 열 정류자 영역; 및상기 반도체 영역 또는 열 정류자 영역과 접하는 적어도 일 영역에 형성된 열 흐름 차단부를 포함하는 열 흐름 제어 장치
2 2
제 1항에 있어서 상기 열 흐름 차단부는 매트릭스 물질층 내에 분산된 내부 물질을 포함하는 열 흐름 제어 장치
3 3
제 2항에 있어서 상기 내부 물질은 상기 매트릭스 물질층 내에 주기적인 배열을 지니도록 형성될 수 있으며, 하기 식에 따른 λ의 λ/4, 1λ, λ/2 또는 2λ간격으로 형성된 열 흐름 제어 장치
4 4
제 2항에 있어서,상기 매트릭스 물질층과 상기 내부 물질은 서로 열 전도율이 다른 물질로 형성된 열 흐름 제어 장치
5 5
제 4항에 있어서,상기 내부 물질의 배열 주기는상기 매트릭스 물질층은 실리콘(Si), 갈륨(Ga), 비소(As) 또는 갈륨 비소 화합물(GaAs)로 형성된 열 흐름 제어 장치
6 6
제 4항에 있어서,상기 내부 물질이 형성된 영역은 절연 물질로 형성된 영역 또는 공동 영역인 열 흐름 제어 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 열 정류자 영역은 서로 직경이 다른 탄소 나노튜브들이 접합하여 형성된 열 흐름 제어 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 열 정류자 영역의 일단부는 상기 반도체 소자 영역과 접하며, 상기 열 정류자 영역의 타단부에 형성된 열 도파 영역을 더 포함하는 열 흐름 제어 장치
9 9
제 1항에 있어서,상기 열 정류자 영역의 일단부는 상기 반도체 소자 영역과 접하며, 상기 열 정류자 영역의 타단부는 외부로 노출된 열 흐름 제어 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09553083 US 미국 FAMILY
2 US20160020202 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016020202 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9553083 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.