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기판을 지지하는 지지 유닛; 및상기 기판으로부터 이격되는 응축 표면을 구비하는 응축 유닛;을 포함하고,상기 응축 유닛은,상기 응축 표면을 구비하는 응축부; 및상기 응축부를 냉각시키는 냉각부;를 포함하고,상기 응축부는, 상기 냉각부에 의해 냉각되어 상기 응축 표면에 증기가 응축되고, 상기 증기의 응축으로 인해 상기 응축 표면에 액적이 성장되고,상기 응축부는, 상기 응축 표면에 성장된 상기 액적이 상기 기판에 접촉되도록 배치되는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항에 있어서,상기 응축부는,상기 냉각부에 의해 냉각되는 열전도 부재; 및상기 응축 표면이 소수성을 가지도록 상기 열전도 부재의 표면에 형성되는 소수막;을 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 2 항에 있어서,상기 열전도 부재는 금속 부재를 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 3 항에 있어서,상기 금속 부재는 알루미늄을 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 2 항에 있어서,상기 냉각부는, 상기 소수막이 상기 기판보다 낮은 온도로 냉각되도록 상기 열전도 부재를 냉각하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 2 항에 있어서,상기 냉각부는, 상기 기판의 표면보다 상기 응축 표면에서 먼저 증기가 응축되도록, 상기 열전도 부재를 냉각하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 2 항에 있어서,상기 냉각부는, 상기 소수막의 온도가 상기 기판의 온도보다 10℃ 이상 낮도록, 상기 열전도 부재를 냉각하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은, 상기 기판의 표면에 증기가 응축되지 않는 온도를 가지는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축부는, 상기 응축 표면이 상기 기판과 대향하도록 배치되는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면은 상기 기판으로부터 1 ~ 5000 um 거리로 이격되는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 냉각부는, 상기 응축 표면과 상기 기판 간의 거리보다 큰 크기의 액적이 상기 응축 표면에 성장되도록, 상기 응축부를 냉각하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면으로 상기 증기를 공급하는 증기 공급부;를 더 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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13
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 촬영하는 촬영부;를 더 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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14
제 13 항에 있어서,상기 기판은 상기 기판의 표면에 제1 방향을 따라 형성되는 나노 패턴을 포함하고,상기 촬영부는, 상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 상기 제1 방향으로 촬영하도록 배치되는 주사 전자 현미경을 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 냉각부는 펠티어 냉각기(Peltier cooler)를 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면은 상기 응축부의 모서리 부분에 형성되는 액적 접촉 관찰 장치
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17
제 16 항에 있어서,상기 모서리 부분은 0°초과, 135°이하의 각을 가지는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면과 상기 기판 간의 거리를 조절하는 거리 조절 장치;를 더 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 증기는 수증기를 포함하는 액적 접촉 관찰 장치
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응축부를 냉각하여 기판으로부터 이격된 상기 응축부의 응축 표면에 증기를 응축시키고, 상기 증기의 응축에 의해 상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계; 및상기 응축 표면에 성장된 상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태에서, 상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 관찰하는 단계;를 포함하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항에 있어서,상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계는,냉각부에 의해, 상기 응축 표면이 상기 기판보다 낮은 온도로 냉각되도록 상기 응축부를 냉각하는 단계;를 포함하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항에 있어서,상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계는,냉각부에 의해, 상기 응축 표면의 온도가 상기 기판의 온도보다 10℃ 이상 낮도록, 상기 응축부를 냉각하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항에 있어서,상기 기판의 표면에 증기가 응축되지 않도록 하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항에 있어서,상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계는, 상기 기판의 표면 보다 상기 응축 표면에서 먼저 액적을 성장시키고,상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 관찰하는 단계는, 상기 기판의 표면에 액적이 성장하기 전에 수행되는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면으로 상기 증기를 공급하는 단계;를 더 포함하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 관찰하는 단계는,주사 전자 현미경에 의해, 상기 액적이 상기 기판에 접촉된 상태를 상기 기판의 표면에 나노 패턴이 형성된 방향으로 촬영하는 단계;를 포함하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계는,상기 응축부의 모서리 부분에 형성된 상기 응축 표면에 상기 액적을 성장시키는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면에 액적을 성장시키는 단계는,상기 응축부의 표면에 형성되는 소수막 상에 상기 액적을 성장시키는 액적 접촉 관찰 방법
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제 20 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응축 표면과 상기 기판 간의 거리를 조절하는 단계;를 더 포함하는 액적 접촉 관찰 방법
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제 29 항에 있어서,상기 응축 표면과 상기 기판 간의 거리를 조절하는 단계는,상기 응축 표면에 상기 액적이 성장된 후, 상기 응축 표면에 성장된 액적이 상기 기판에 접촉되도록, 상기 응축부를 상기 기판을 향하여 상대 이동시키는 액적 접촉 관찰 방법
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