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하프늄 옥시나이트라이트 막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2020000031
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법은, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판을 챔버에 준비하는 단계; 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판을 하프늄을 포함하는 전구체 소스 가스에 노출시키고, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판 상에 하프늄 전구체 막을 형성하는 단계; 상기 하프늄 전구체 막을 이소프로판올(isopropanol)로 산화하여 하프늄 옥사이드 막을 형성하는 단계 및 상기 챔버내에 질소 플라즈마를 발생시켜 상기 하프늄 옥사이드 막에 질소를 결합시켜 하프늄 옥시 나이트라이드 막을 생성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02181(2013.01)H01L 21/02181(2013.01)H01L 21/02181(2013.01)H01L 21/02181(2013.01)H01L 21/02181(2013.01)H01L 21/02181(2013.01)
출원번호/일자 1020180057225 (2018.05.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0132039 (2019.11.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서광석 서울특별시 강남구
2 엄수근 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0492508-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.21 수리 (Accepted) 9-1-2018-0071815-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0321075-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0676623-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0676622-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0802142-70
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1253425-40
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.12.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1253424-05
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.01.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0000250-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판을 챔버에 준비하는 단계;상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판을 하프늄을 포함하는 전구체 소스 가스에 노출시키고, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판 상에 하프늄 전구체 막을 형성하는 단계;상기 하프늄 전구체 막을 이소프로판올(isopropanol)로 산화하여 하프늄 옥사이드 막을 형성하는 단계; 및상기 챔버내에 질소 플라즈마를 발생시켜 상기 하프늄 옥사이드 막에 질소를 결합시켜 하프늄 옥시 나이트라이드 막을 생성하는 단계를 포함하되,상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 인듐갈륨아세나이드(InGaAs)인 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 하프늄을 포함하는 전구체 소스 가스는 TDMAH(Tetrakis(dimethylamino)hafnium), TEMAH(Tetrakis(ethylmethylamido)hafnium) 및 TDEAH(Tetrakis(diethylamino)hafnium) 중 어느 하나인 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 하프늄 전구체 막을 형성하는 단계, 상기 하프늄 옥사이드 막을 형성하는 단계 및 하프늄 옥시 나이트라이드 막을 생성하는 단계는 하나의 증착 공정 사이클을 구성하며,상기 하프늄 옥시 나이트라이드 막이 소정 두께 이상 증착될 때까지 상기 증착 공정 사이클은 반복 실시되는 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 증착 공정 사이클은 상기 각 단계의 전, 후에 비활성 가스를 상기 챔버에 주입하는 퍼지 단계를 더 포함하는 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 퍼지 단계에서 주입되는 비활성 가스는 질소 가스이며, 상기 하프늄 옥시 나이트라이드 막을 생성하는 단계는 상기 질소 플라즈마를 발생하기 이전에, 질소 가스를 상기 챔버 내에 충진하여 안정화하는 단계를 더 포함하고,상기 안정화 단계의 질소 단위 유량은 상기 퍼지 단계의 질소 단위 유량보다 낮은 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 하프늄 전구체 막을 형성하는 단계는 2초 동안 수행되고, 상기 하프늄 옥사이드 막을 형성하는 단계는 320℃에서 3초 동안 진행되며, 상기 질소 플라즈마는 50W RF 전력으로 5초간 발생되는 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판을 챔버에 준비하는 단계는, 상기 챔버에 로딩된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판에 대한 전 처리 단계를 더 포함하는 하프늄 옥시 나이트라이드 막의 형성 방법
9 9
제1 항 및 제3항 내지 제8 항 중 어느 한항에 따른 방법에 따라 하프늄 옥시 나이트라이드 막이 형성된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판;상기 하프늄 옥시 나이트라이드 막 상에 위치한 제1 전극; 및상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 기판의 하부에 위치한 제2 전극을 포함하는 반도체 소자
10 10
제9 항에 있어서, 상기 제1 전극은 게이트 전극, 상기 제2 전극은 하부 전극인 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 III-V Channel을 이용한 CMOS extension 기술 개발