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개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 이용하여 다이아크릴레이트(Diacrylate) 계열의 고분자를 합성하는 단계; 상기 합성된 가교 고분자(cross-linking polymer)를 블로킹 유전막(Blocking dielectric layer)으로 사용하고, 상기 블로킹 유전막 상에 iCVD 공정을 통해 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및상기 블로킹 유전막 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 메모리 특성을 나타내는 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자를 합성하는 단계는개시제를 열분해하여 자유 라디칼(free radical)을 형성하고, 상기 자유 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화하여 연쇄 중합 반응시키는 iCVD 공정을 이용하여 다이아크릴레이트 계열의 단량체를 상기 다이아크릴레이트 계열의 고분자로 합성하는, iCVD 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 다이아크릴레이트 계열의 단량체는다이아크릴레이트 계열의 디에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트(Di(ethylene glycol) diacrylate), 1,3-부탄디올 다이아크릴레이트(1,3-Butanediol diacrylate), 네오펜틸 글리콜 다이아크릴레이트(Neopentyl glycol diacrylate), 1,4-부탄디올 다이아크릴레이트(1,4-Butanediol diacrylate) 및 1,6-헥산디올 다이아크릴레이트(1,6-Hexanediol diacrylate) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, iCVD 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 폴리머를 형성하는 단계는높은 파괴전압과 기계적 유연성을 나타내는 상기 합성된 가교 고분자를 상기 블로킹 유전막으로 사용하고, 상기 블로킹 유전막 상에 개시제를 열분해하여 자유 라디칼(free radical)을 형성하고, 상기 자유 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화하여 연쇄 중합 반응시켜 상기 고분자 폴리머를 증착하는, iCVD 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 고분자 절연막을 형성하는 단계는상기 블로킹 유전막 상에 상기 고분자 폴리머를 증착하여 수 nm의 얇은 두께에서 수μm의 두께까지 자유롭게 증착 가능하며, 빠른 증착속도, 우수한 절연특성과 유연성을 나타내는 상기 고분자 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는, iCVD 공정을 이용한 고성능 고분자 절연막의 제조 방법
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개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)에 의해 합성된 다이아크릴레이트(Diacrylate) 계열의 고분자를 블로킹 유전막(Blocking dielectric layer)으로 사용하고, 상기 블로킹 유전막 상에 iCVD 공정으로 고분자 폴리머를 증착하여 형성되며, 메모리 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 고분자 절연막
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제6항에 있어서,상기 고분자 폴리머는폴리머 일렉트릿(Polymer electret)이며, 상기 iCVD 공정으로 인해 3nm의 두께로 상기 블로킹 유전막 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 고분자 절연막
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제6항 또는 제7항의 고분자 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 소자
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제8항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 소자는바텀 게이트(bottom gate) 박막 트랜지스터 소자인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 소자
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