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기판을 처리하는 장치에 있어서,처리공간을 제공하는 하우징과;상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;상기 지지 유닛에 지지된 기판의 처리면에 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급 유닛;상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상기 처리면에 상기 제1 처리액 보다 표면장력이 낮은 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급 유닛; 및상기 처리공간에 증발 억제액을 증기 상태로 분사하는 증기 발생 조절 유닛;을 포함하는 기판 처리 장치
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제 1항에 있어서,상기 제1 처리액 공급 유닛, 상기 제2 처리액 공급 유닛 및 상기 증기 발생 조절 유닛을 제어하는 제어기;를 포함하고,상기 제어기는,상기 제1 처리액이 공급된 상기 처리면에 상기 제2 처리액을 공급하여 상기 처리면에서 상기 제1 처리액이 상기 제2 처리액으로 치환되고,상기 제2 처리액의 토출 시점 이전에 상기 처리공간으로 상기 증기가 공급되도록 상기 제1 처리액 공급 유닛, 상기 제2 처리액 공급 유닛 및 상기 증기 발생 조절 유닛을 제어하는 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 처리액은 DIW이고, 상기 제2 처리액은 유기용제이고, 상기 증발 억제액은 물인 기판 처리 장치
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제1항에 있어서상기 증발 억제액의 표면장력은 상기 제2 처리액의 표면장력 보다 큰 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 증발 억제액의 표면장력은 상기 제1 처리액의 표면장력과 같거나 큰 기판 처리 장치
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제1항에 있어서,상기 증발 억제액은 상기 제1 처리액과 동일한 액인 기판 처리 장치
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제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,상기 제2 처리액은 상기 처리공간에서 상기 증발 억제액의 상대습도가 100%인 상태에서 상기 처리면에 공급되는 기판 처리 장치
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,하우징 내 처리공간의 상대습도를 측정하는 상대습도 측정장치;를 더 포함하는 기판 처리 장치
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기판을 처리하는 방법에 있어서,회전하는 기판의 처리면에 제1 처리액을 공급하고, 이후에 상기 기판에 공급된 상기 제1 처리액의 주변이 증기 상태의 증발 억제액으로 제공된 상태에서 상기 기판에 상기 제1 처리액 보다 표면장력이 낮은 제2 처리액을 공급하여, 상기 기판 상에서 상기 제1 처리액을 상기 제2 처리액으로 치환하는 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 처리액이 공급되는 동안 제1 처리액의 주변의 습도는 100%로 유지되는 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 증발 억제액의 표면장력은 상기 제2 처리액의 표면장력 보다 큰 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 증발 억제액의 표면장력은 상기 제1 처리액의 표면장력과 같거나 큰 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 증발 억제액은 상기 제1 처리액과 동일한 액인 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 처리액은 DIW이고, 상기 제2 처리액은 유기용제이고, 상기 증발 억제액은 물인 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 증발 억제액은 상기 제1 처리액이 공급되기 전, 또는 상기 제1 처리액의 공급과 동시에, 또는 상기 제1 처리액이 공급되는 도중에 공급되는 기판 처리 방법
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제9항 또는 제15항에 있어서,상기 증발 억제액은 제2 처리액이 공급되는 도중까지, 또는 상기 제2 처리액의 공급이 종료될 때까지 계속적으로 공급되는 기판 처리 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 처리액은 상기 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 탄착 지점이 변경되면서 상기 기판으로 토출되는 기판 처리 방법
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