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기판 상에 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 고분자 박막을 축합반응시켜, 상기 기판과 상기 고분자 박막 사이에 그래프팅된 고분자 박막을 형성하는 단계; 상기 그래프팅된 고분자 박막 상에 남아 있는 고분자 박막을 제거하는 단계; 및상기 그래프팅된 고분자 박막을 탄화시켜, 탄소막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소막을 형성하는 단계는,상기 그래프팅된 고분자 박막으로부터 크로스링킹(crosslinking)된 고분자 박막을 형성하는 단계; 및상기 크로스링킹된 고분자 박막을 열처리하여 탄소막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 크로스링킹된 고분자 박막을 형성하는 단계는,빛, 전자빔, 양성자빔 및 이온 첨가 중 적어도 하나를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리하여 탄소막을 형성하는 단계는,400 ~ 1000 ℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는 히드록시기(Hydroxyl Group), 아미노기(Amino Group), 할로겐기(Haogen Group), 카르복시기(Carboxyl Group), 설포닐기(Sulfonyl Group) 및 티올기(Thiol Group) 중 적어도 하나의 말단 기능기를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는 Polystyrene, Polyacrylonitrile, Polyaniline, Polyvinylpyridine, Polymethylmethacrylate 및 Polyvinylchloride 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 표면이 친수성으로 처리된 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 표면에 히드록시기 및 아미노기 중 적어도 하나의 기능기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 그래프팅된 고분자 박막을 형성하는 단계는,열처리를 통해 상기 기판과 상기 고분자 박막을 축합반응시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리는 150 ~ 200 ℃ 범위의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 박막을 제거하는 단계는,유기 용매를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소막은 비정질 탄소막인 것을 특징으로 하는 탄소막 형성 방법
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