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다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시메모리와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119196
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리를 싼 가격에 고밀도로 제조하기 위하여 다결정 실리콘 위에 형성된 산화막의 누설전류, 절연파괴전압 및 QBD(charge to breakdowm) 특성이 단결정 실리콘 위에 형성된 열산화막과 유사한 산화막을 게이트 산화막으로 이용하는 것이다.이를 위해 본 발명에서는 게이트 산화막을 ICP(Inductively Coupled Plasma), ECR (Electron Cyclotron Resonance) 및 Helicon 등의 전극을 사용하는 고밀도 플라즈마 발생장치를 이용하여 산소 분위기 또는 NO 가스 및 N2O가스와 같은 질소원자를 포함한 가스 분위기에서 N2O 플라즈마 산화막으로 형성한다. 또한 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의 절연체 역시 플라즈마 산화법에 의해 산화막을 형성함으로써 메모리 셀의 신뢰성을 향상을 꾀한 것이다.이로써, 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리를 싼 가격에 고밀도로 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1019970009097 (1997.03.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0216978-0000 (1999.06.02)
공개번호/일자 10-1998-0073676 (1998.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한철희 대한민국 대전광역시 유성구
2 이내인 대한민국 대전광역시 유성구
3 허성회 대한민국 서울특별시 강남구
4 이진우 대한민국 전남 광양시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0029729-63
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0029730-10
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0029731-55
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.09.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0029732-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0174822-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)과; 상기 실리콘 기판(1) 위에 형성되는 산화막(2)과; 상기 산화막(2) 위에 형성된 다결정 실리콘 활성영역(3) 및 다결정 실리콘 활성영역(3)의 양쪽에 형성된 소스/드레인 영역(4)과; 상기 다결정 실리콘 활성영역(3) 및 소스/드레인 영역(4) 위에 형성되는 게이트 산화막 또는 터널 산화막(5)과; 상기 게이트 산화막 또는 터널 산화막(3) 위에 형성되는 다결정 실리콘의 플로팅 게이트(6), 절연체(7) 및 다결정 실리콘의 컨트롤 게이트(8)로 이루어진 다결정 박막 트랜지스터를 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리에 있어서, 상기 게이트 산화막(5)이 플라즈마 산화막인 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리

2 2

제 1항에 있어서, 상기 절연체(7)가 단층의 산화막인 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리

3 3

제 1항에 있어서, 상기 절연체(7)가 플라즈마 산화막/질화막/산화막의 3중 층 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리

4 4

제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체(7)를 구성하는 막의 구조를 형성시 N20 플라즈마 산화막를 사용하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리

5 5

실리콘 기판(1)상에 산화막(2)을 형성한 다음 비정질 실리콘을 증착한 후 열처리하여 다결정 실리콘 활성영역(3)을 형성하는 제 1공정과; 상기 결과물위에 게이트 산화막(5)을 형성한 다음 플로팅 게이트(6)로 도핑된 다결정 실리콘을 형성한 후 플라즈마 산화막/질화막/산화막의 3중 층 또는 단층의 플라즈마 산화막 구조의 절연체(7)를 형성한 다음 컨트롤 게이트(8)로 도핑된 다결정 실리콘을 형성하는 제 2공정과; 사진 및 식각 방법을 이용하여 컨트롤 게이트(8), 다결정 절연체(7) 및 플로팅 게이트(6)를 순차적으로 식각하여 게이트를 형성하는 제 3공정과; 이온주입 방법을 사용하여 상기 다결정 실리콘 활성영역(3)에 소스/드레인 영역(4)을 형성하는 제 4공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리의 제조방법

6 6

제 5항에 있어서, 상기 게이트 산화막(5)을 플라즈마 산화법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리의 제조방법

7 7

제 5항에 있어서, 상기 제 2 공정에서 형성되는 절연체(7)는 N20 플라즈마 산화막으로 형성되는 되는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리의 제조방법

8 8

제 6항에 있어서, 상기 게이트 산화막(5)을 형성하기 위한 플라즈마 산화를 ICP, ECR, 또는 Helicon 등의 전극을 사용하는 고밀도 플라즈마 발생장치를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리의 제조방법

9 9

제 8항에 있어서, 상기 게이트 산화막(5)을 형성하기 위한 고밀도 플라즈마 발생장치를 이용한 플라즈마 산화를 산소 분위기 또는 NO 가스 및 N2O가스와 같은 질소원자를 포함한 가스 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 EEPROM 및 플래시 메모리의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100250806 KR 대한민국 FAMILY
2 US06461984 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6461984 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.