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기판 내에 서로 이격되어 형성된 소오스와 드레인;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 소오스와 상기 드레인 사이의 상기 절연층의 표면에 형성된 플로팅게이트(Floating gate);상기 플로팅게이트의 일측에 이격되고, 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 상기 절연층의 표면에 형성된 제1전극(Selection gate);상기 플로팅게이트의 타측에 이격되고, 상기 절연층의 표면에 형성된 제2전극(Control gate); 및 상기 제1전극과 상기 제2전극의 전위차에 따라, 상기 제1전극의 전위를 상기 플로팅게이트로 전송하는 이동전극을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제1항에 있어서,상기 이동전극은, 상기 플로팅게이트 위에 이격되어 상기 이동전극에 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 이동전극의 일단은 상기 제1전극에 전기적으로 연결되며, 상기 이동전극의 타단은 상기 제2전극 위에 이격되어 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제2항에 있어서,상기 돌출부는,딤플인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제1항에 의한 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법에 있어서,상기 제1전극에 제1전압을 인가하는 단계; 및상기 제2전극에 제2전압을 인가하는 단계를 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제4항에 있어서, 상기 제1전압은 쓰기/지우기 전압이고, 상기 제2전압은 컨트롤전압이며, 상기 쓰기/지우기 전압과 상기 컨트롤전압의 전위차의 절대값이 풀인전압(Vpi) 이상인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제4항에 있어서,상기 제1전압은 읽기전압이고, 상기 제2전압은 기준전압이며, 상기 읽기전압과 상기 기준전압의 전위차의 절대값이 풀인전압 미만인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제1항에 의한 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법에 있어서,상기 제1전극에 서로 다른 크기를 가지는 다수의 제1전압을 인가하는 단계; 및상기 제2전극에 제2전압을 인가하는 단계를 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제7항에 있어서,상기 다수의 제1전압은 다수의 쓰기/지우기 전압이고, 상기 제2전압은 컨트롤전압이며, 상기 다수의 쓰기/지우기 전압과 상기 컨트롤전압의 전위차의 절대값이 풀인전압 이상인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제7항에 있어서,상기 다수의 제1전압은 다수의 읽기전압이고, 상기 제2전압은 기준전압이며, 상기 다수의 읽기전압과 상기 기준전압의 전위차의 절대값이 풀인전압 미만인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀의 동작방법
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제1신호처리라인, 제2신호처리라인, 제3신호처리라인 및 상기 제1신호처리라인, 상기 제2신호처리라인 및 상기 제3신호처리라인이 교차하는 영역에 형성된 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀을 포함하는 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 어레이에 있어서,상기 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀은,기판 내에 서로 이격되어 형성된 소오스와 상기 제1신호처리라인에 전기적으로 연결된 드레인;상기 기판 상에 형성된 절연층;상기 소오스와 상기 드레인 사이의 상기 절연층의 표면에 형성된 플로팅게이트(Floating gate);상기 플로팅게이트의 일측에 이격되고, 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 상기 절연층의 표면에 형성되며, 상기 제3신호처리라인에 전기적으로 연결된 제1전극(Selection gate);상기 플로팅게이트의 타측에 이격되고, 상기 절연층의 표면에 형성되며, 상기 제2신호처리라인에 전기적으로 연결된 제2전극(Control gate); 및 상기 제1전극과 상기 제2전극의 전위차에 따라, 상기 제1전극의 전위를 상기 플로팅게이트로 전송하는 이동전극을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 어레이
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제10항에 있어서,상기 이동전극은, 상기 플로팅게이트 위에 이격되어 상기 이동전극에 형성된 돌출부를 포함하고, 상기 이동전극의 일단은 상기 제1전극에 전기적으로 연결되며, 상기 이동전극의 타단은 상기 제2전극 위에 이격되어 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 어레이
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제11항에 있어서,상기 돌출부는,딤플인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 어레이
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