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나노결정을 균일하게 형성하는 방법 및 나노결정을포함하는 소자

  • 기술번호 : KST2015112551
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노결정을 균일하게 형성하는 방법 및 그 나노결정을 포함하는 소자에 관한 것이다.본 발명에 따른 균일한 나노결정을 형성하는 방법은 기판상에 제1 마스크층과 제2 마스크층을 서로 이격되게 형성하는 단계, 제1 마스크층을 마스크로 하여 기판 상면의 일측에 대하여 비스듬한 각도인 제1 경사각으로 제1 나노결정 형성물질을 제2 마스크층과 인접한 기판상에 입사하는 단계, 제2 마스크층을 마스크로 하여 기판 상면의 타측에 대하여 비스듬한 각도인 제2 경사각으로 제2 나노결정 형성물질을 제1 마스크층과 인접한 기판상에 입사하는 단계, 제2 마스크층을 향하여 돌출된 형태로 제1 마스크층 상에 형성된 제1 나노결정 형성물질과 제1 마스크층을 향하여 돌출된 형태로 제2 마스크층상에 형성된 제2 나노결정 형성물질을 마스크로 하여 제3 나노결정 형성물질을 기판에 대하여 수직인 제3 경사각으로 기판상에 입사하는 단계 및 제1 및 제2 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.비휘발성 메모리, 부유 게이트, 나노결정, 균일
Int. CL H01L 21/24 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020060076058 (2006.08.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0782911-0000 (2007.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 류승완 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0575049-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0013503-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0360228-37
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0623991-45
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0624003-40
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0645146-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노결정을 형성하는 방법에 있어서,(a) 기판상에 제1 마스크층과 제2 마스크층을 서로 이격되게 형성하는 단계;(b) 상기 제1 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상면의 일측에 대하여 비스듬한 각도인 제1 경사각으로 제1 나노결정 형성물질을 상기 제2 마스크층과 인접한 기판상에 입사하는 단계;(c) 상기 제2 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상면의 타측에 대하여 비스듬한 각도인 제2 경사각으로 제2 나노결정 형성물질을 상기 제1 마스크층과 인접한 기판상에 입사하는 단계;(d) 상기 제2 마스크층을 향하여 돌출된 형태로 상기 제1 마스크층 상에 형성된 제1 나노결정 형성물질과 상기 제1 마스크층을 향하여 돌출된 형태로 상기 제2 마스크층상에 형성된 제2 나노결정 형성물질을 마스크로 하여 제3 나노결정 형성물질을 상기 기판에 대하여 수직인 제3 경사각으로 상기 기판상에 입사하는 단계; 및(e) 상기 제1 및 제2 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 (e)단계 이후에, 상기 기판에 형성된 상기 제1 내지 제3 나노결정 형성물질을 등간격의 복수의 구형(spherical) 나노결정으로 형성하는 단계;를 더 포함하는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 구형 나노결정은, 10Torr 이하의 가스분위기에서 열처리되어 형성되는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 또는 제2 경사각은 다음 식을 만족하는,Θ=tan-1(B/A),여기서, Θ은 제1 또는 제2 경사각이고, B는 상기 제1 또는 제2 마스크층의 높이이고,A는 상기 제1 마스크층의 일면으로부터 상기 제2 마스크층의 일면까지의 거리인, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 나노결정 형성물질은 일함수가 각각 상이한 물질인, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
7 7
나노결정을 형성하는 방법에 있어서,(a) 제1 기판상에 형성된 제2 기판을 사이에 두고 상기 제1 기판상에 제1 마스크층과 제2 마스크층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 마스크층을 마스크로 하여 상기 제1 마스크층 상면에 대하여 비스듬한 각도인 제1 경사각으로 제1 나노결정 형성물질을 상기 제2 기판의 일측면 상에 입사하는 단계;(c) 상기 제2 마스크층을 마스크로 하여 상기 제2 마스크층 상면에 대하여 비스듬한 각도인 제2 경사각으로 제2 나노결정 형성물질을 상기 제2 기판의 타측면 상에 입사하는 단계; 및(d) 상기 제1 및 제2 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 (d)단계 이후에, 상기 제2 기판의 일측면 또는 타측면에 형성된 상기 제1 및 제2 나노결정 형성물질을 등간격의 복수의 구형 나노결정으로 형성하는 단계;를 더 포함하는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 구형 나노결정은, 10Torr 이하의 가스분위기에서 열처리되어 형성되는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
10 10
제7 항에 있어서,상기 제1 또는 제2 경사각은 다음 식을 만족하는,0°<Θ≤tan-1(B/A)여기서, Θ은 제1 또는 제2 경사각이고, B는 상기 제1 또는 제2 마스크층의 높이이고,A는 상기 제1 마스크층의 일면으로부터 상기 제2 마스크층의 일면까지의 거리인, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 제1 나노결정 형성물질은 상기 제1 경사각에 따라 이격되어 상기 제2 기판의 일측면 상에 둘 이상 형성되고, 상기 제1 경사각에 따라 각각 상이한 일함수를 갖고,상기 제2 나노결정 형성물질은 상기 제2 경사각에 따라 이격되어 상기 제2 기판의 타측면 상에 둘 이상 형성되고, 상기 제2 경사각에 따라 각각 상이한 일함수를 갖는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
12 12
나노결정을 형성하는 방법에 있어서,(a) 기판 상에 나노입자를 형성하는 단계;(b) 상기 나노입자 상에 복수의 나노결정 형성물질을 서로 다른 입사각으로 입사하는 단계; 및(c) 상기 나노입자를 제거하는 단계;를 포함하는, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 나노입자는 폴리스타일렌 나노입자인, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제12 항에 있어서,상기 복수의 나노결정 형성물질의 일함수가 서로 상이한, 균일한 나노결정을 형성하는 방법
17 17
기판에 이격되어 형성된 드레인 및 소오스;상기 기판 상에 형성된 제1 절연막;상기 제1 절연막 상에 형성되고, 상기 제1, 제7 및 제12 항 중 어느 한 항의 균일한 나노결정을 형성하는 방법으로 형성된 나노결정을 포함하는 부유 게이트;상기 부유 게이트 상에 형성된 제2 절연막; 및상기 제2 절연막 상에 형성된 제어 게이트;를 포함하는, 나노결정을 포함하는 소자
18 18
제17 항에 있어서,상기 나노결정은 지름이 3 내지 5nm인, 나노결정을 포함하는 소자
19 19
기판 상에 이격되어 형성된 드레인 및 소오스;상기 드레인 및 소오스와 연결된 채널;상기 드레인과 상기 소오스와 이격되어 상기 채널을 감싸도록 형성된 제1 절연막;상기 제1 절연막을 감싸도록 형성되고, 상기 제1, 제7 및 제12 항 중 어느 한 항의 균일한 나노결정을 형성하는 방법으로 형성된 나노결정을 포함하는 부유 게이트;상기 부유 게이트를 감싸도록 형성된 제2 절연막; 및상기 제2 절연막을 감싸도록 형성된 제어 게이트;를 포함하는, 나노결정을 포함하는 소자
20 20
제19 항에 있어서,상기 나노결정은 지름이 3 내지 5nm인, 나노결정을 포함하는 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.