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기판;상기 기판 상에 형성된 유전체층;상기 유전체층 상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극의 일측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 소오스전극;상기 게이트전극의 타측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 드레인전극; 및상기 소오스전극 상에 형성된 부착부와 상기 부착부에 전기적으로 연결되고 상기 드레인전극의 상부까지 연장 형성된 이동부를 포함하는 이동전극을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제1항에 있어서,상기 드레인전극 상부의 상기 이동부에 돌출부가 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제1항에 있어서,상기 기판은비도전성의 기판; 및상기 비도전성 기판 상에 형성된 도전성 기판을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제1항에 있어서,상기 드레인전극 하부의 상기 기판에 트렌치가 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제4항에 있어서,상기 드레인전극은,상기 트렌치를 매립하도록 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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6
제1항에 의한 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀을 다수개 포함하되, 제1신호처리라인은 상기 소오스전극과 전기적으로 연결되고, 제2신호처리라인은 상기 게이트전극과 전기적으로 연결된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 어레이
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기판;상기 기판 상에 형성된 유전체층;상기 유전체층 상에 형성된 드레인전극;상기 드레인전극의 일측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 소오스전극;상기 드레인전극의 타측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 게이트전극; 상기 소오스전극 상에 형성된 부착부와 상기 부착부에 전기적으로 연결되고 상기 게이트전극의 상부까지 연장 형성된 이동부를 포함하는 이동전극; 및상기 드레인전극 상부의 상기 이동부에 형성된 돌출부를 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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8
제7항에 있어서,상기 기판은비도전성의 기판; 및상기 비도전성 기판 상에 형성된 도전성 기판을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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9
제7항에 있어서,상기 드레인전극 하부의 상기 기판에 트렌치가 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제9항에 있어서,상기 드레인전극은,상기 트렌치를 매립하도록 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제7항에 의한 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀을 다수개 포함하되, 제1신호처리라인은 상기 소오스전극과 전기적으로 연결되고, 제2신호처리라인은 상기 게이트전극과 전기적으로 연결된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 어레이
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기판;상기 기판 상에 형성된 유전체층;상기 유전체층 상에 형성된 드레인전극;상기 드레인전극 일측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 제1소오스전극;상기 드레인전극 타측에 이격되어 상기 유전체층 상에 형성된 제2소오스전극;상기 드레인전극과 상기 제1소오스전극 사이의 상기 유전체층 상에 형성된 제1게이트전극;상기 드레인전극과 상기 제2소오스전극 사이의 상기 유전체층 상에 형성된 제2게이트전극; 및상기 제1소오스전극 상에 형성된 제1부착부, 상기 제2소오스전극 상에 형성된 제2부착부 및 상기 제1부착부와 상기 제2부착부를 전기적으로 연결하는 이동부를 포함하는 이동전극을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항에 있어서,상기 기판은비도전성의 기판; 및상기 비도전성 기판 상에 형성된 도전성 기판을 포함하는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항에 있어서,상기 드레인전극 상부의 상기 이동부에 돌출부가 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항에 있어서,상기 드레인전극 하부의 상기 기판에 트렌치가 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항에 있어서,상기 드레인전극은,상기 트렌치를 매립하도록 형성된, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항에 있어서,상기 이동부는,디스크형 구조인, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀
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제12항의 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀을 다수개 포함하되, 상기 이동전극은 제1신호처리라인이 되고, 상기 제1게이트전극과 상기 제2게이트전극은 제2신호처리라인이 되는, 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 어레이
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