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커패시터리스 디램 소자

  • 기술번호 : KST2014046602
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 커패시터리스 디램 소자는 절연층이 형성된 기판; 상기 절연층 위에 형성된 부유바디; 상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인; 상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 프로그램 상태로 트리거된다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020100106693 (2010.10.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1069559-0000 (2011.09.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.29)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 문동일 대한민국 대전 유성구
3 최성진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0704621-94
2 등록결정서
Decision to grant
2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0536735-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연층이 형성된 기판;상기 절연층 위에 형성된 부유바디;상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인;상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 프로그램 상태로 트리거되는 커패시터리스 디램 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연층은 매립된 산화물(buried oxide), 매립된 n형 우물(buried n-well), 매립된 Si:C(buried Si:C) 또는 매립된 Si:Ge(buried Si:Ge) 중 어느 하나를 포함하는 정공 배리어 물질인 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인은 상기 게이트 영역과 겹치지 않도록 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인은 n형 실리콘, p형 실리콘, 또는 금속실리사이드 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 부유바디는 실리콘, 게르마늄, 또는 실리콘게르마늄(Si:Ge) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 게이트는 n형 폴리실리콘, p형 폴리실리콘, 투명한 전극 물질 또는 금속 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 투명한 전극 물질은 ZnO, ITO, TiO2, In2O3, SnO3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 금속은 Ni, Ti, Au, Ta, W, Ag, TiN, TaN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 부유 바디는 평면형 부유 바디, 핀(Fin)형 부유바디, 나노선(nanowire)형 부유바디, 또는 수직형 부유바디 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 기판은 백 게이트(back gate)로 작용하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램소자
11 11
제1항에 있어서, 상기 부유바디는 핀(Fin)형 부유 바디이고, 상기 게이트는 상기 핀형 부유바디의 양 측면에 형성된 독립된 2개의 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 부유바디는 나노선(nanowire)형 부유 바디이고, 상기 게이트는 상기 나노선형 부유바디를 완전히 감싸는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램소자
13 13
제1항에 있어서, 상기 부유바디는 수직형 부유 바디이고, 상기 게이트는 상기 수직형 부유바디의 양 측면에 형성된 독립된 2개의 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램소자
14 14
제1항에 있어서, 상기 부유바디는 수직형 부유 바디이고, 상기 게이트는 상기 수직형 부유바디를 완전히 감싸는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램소자
15 15
기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 부유바디층을 형성하는 단계;상기 부유바디층 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 부유바디층의 양 종단에 소오스 및 드레인을 형성하는 단계, 여기서 상기 소오스와 상기 드레인 사이의 상기 부유바디층에 부유바디가 정의되며; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 프로그램 상태로 트리거되는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 절연층은 매립된 산화물(buried oxide), 매립된 n형 우물(buried n-well), 매립된 Si:C(buried Si:C) 또는 매립된 Si:Ge(buried Si:Ge) 중 어느 하나를 포함하는 정공 배리어 물질인 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인은 상기 게이트 영역과 겹치지 않도록 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
18 18
제15항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인은 n형 실리콘, p형 실리콘, 또는 금속실리사이드 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
19 19
제15항에 있어서, 상기 부유바디는 실리콘, 게르마늄, 또는 실리콘게르마늄(Si:Ge) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
20 20
제15항에 있어서, 상기 게이트는 n형 폴리실리콘, p형 폴리실리콘, 투명한 전극 물질 또는 금속 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 투명한 전극 물질은 ZnO, ITO, TiO2, In2O3, SnO3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
22 22
제20항에 있어서, 상기 금속은 Ni, Ti, Au, Ta, W, Ag, TiN, TaN 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램 소자의 제조 방법
23 23
절연층이 형성된 기판;상기 절연층 위에 형성된 부유바디;상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인;상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로 입사되는 빛을 전기신호로 변환하는 광전변환기
24 24
절연층이 형성된 기판;상기 절연층 위에 형성된 부유바디;상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인;상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 턴온되는 광학 스위치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.