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광유기 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법, 광 검출기

  • 기술번호 : KST2015115518
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법은, 채널영역을 갖는 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 절연층 및 상기 게이트를 식각하여 상기 채널영역의 길이를갖도록 하는 단계;상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 상기 기판 내에 형성하는 단계; 상기 절연층의 일부를 제거하여 수평방향의 나노갭을 형성하는 단계; 상기 나노갭 내에 터널링 절연층 및 제어 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층 및 상기 제어 절연층이 형성되지 않은 부위에 광활성 물질을 삽입하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020110076104 (2011.07.29)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1277052-0000 (2013.06.14)
공개번호/일자 10-2013-0014155 (2013.02.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 김청진 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0590591-50
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0706953-17
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0759060-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0127852-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0127850-12
7 등록결정서
Decision to grant
2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0401170-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
채널영역을 갖는 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 절연층 및 상기 게이트를 식각하여 상기 채널영역의 길이를갖도록 하는 단계;상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 상기 기판 내에 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 제거하여 수평방향의 나노갭을 형성하는 단계;상기 나노갭 내에 터널링 절연층 및 제어 절연층을 형성하는 단계; 및상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층 및 상기 제어 절연층이 형성되지 않은 부위에 광활성 물질을 삽입하는 단계;를 포함하는, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 절연층에서 제거되지 않은 부위는 상기 게이트를 지지하고, 실리콘 산화층인광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 터널링 절연층과 상기 제어 절연층은 각각 상기 나노갭 내의 하부, 상부에 각각 형성되는, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
4 4
기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 박막을 형성하는 단계;상기 박막 상에 질화막으로 하드마스크를 형성하고, 상기 박막과 하드마스크으로부터 핀 형태의 채널영역을 형성하는 단계;상기 핀 형태의 채널영역의 측면에 희생 절연층과 게이트를 순차적으로 형성하고, 상기 하드마스크를 식각정지층으로 사용하여 평탄하게 하는 단계;상기 절연층 및 상기 게이트를 식각하여 상기 채널영역의 길이를 갖도록 하는 단계상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 상기 박막 내에 형성하는 단계;상기 게이트와 상기 핀 형태의 채널영역 사이의 희생 절연층을 식각하여 수직방향의 나노갭을 형성하는 단계;상기 나노갭 내에 터널링 절연층 및 제어 절연층을 형성하는 단계; 및상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층과 상기 제어 절연층 사이에 광활성 물질을 삽입하는 단계;를 포함하는, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 채널영역은 상기 기판의 면이 향하는 방향으로 상기 절연층과 맞닿아 있고, 상기 게이트와의 사이에 나노갭을 형성하는, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 터널링 절연층과 상기 제어 절연층은 각각 상기 나노갭 내의 상기 채널영역 측, 상기 게이트 측에 각각 형성되는, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
7 7
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 채널영역은 실리콘, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 실리콘 게르마늄, 또는 실리콘 카바이드 중 어느 하나로 형성된, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
8 8
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 터널링 절연층 및 제어 절연층은 실리콘 산화층 또는 고유전층인, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
9 9
제1항 또는 제4항에 있어서,상기 광활성 물질은 풀러렌(Fullerene), PCBM(Phenyl-C61-Butyric Acid Methyl Ester), P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 또는 이들의 유도체 중 어느 하나인, 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법
10 10
채널영역을 갖는 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 게이트; 및상기 기판 내에 상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인;을 포함하고,상기 절연층은 상기 게이트의 일부분의 하부에 형성되고, 상기 게이트와 상기 절연층과 상기 기판 사이에 수평 방향의 나노갭이 형성되고,상기 나노갭 내에 형성된 터널링 절연층 및 제어 절연층; 및상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층과 상기 제어 절연층 사이에 삽입된 광활성 물질;을 더 포함하는,광유기 플래시 메모리 소자
11 11
기판 상에 형성된 절연층; 및상기 절연층 상에 형성된 박막;을 포함하고,상기 박막에는 핀 형태의 채널영역과 상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인이 형성되고,게이트가 희생 절연층을 사이에 두고 상기 채널영역의 측면으로 이격되어, 상기 채널영역과 상기 게이트 사이에 수직방향의 나노갭이 형성되며,상기 나노갭 내부에 형성된 터널링 절연층 및 제어 절연층; 및상기 터널링 절연층과 상기 제어 절연층 사이에 삽입된 광활성 물질;을 더 포함하는,광유기 플래시 메모리 소자
12 12
제10항 또는 제11항의 광유기 플래시 메모리 소자의 게이트에, 음의 게이트 전압과 광신호가 동시에 인가될 때, 양의 문턱전압 변화 또는 쓰기 동작이 구현되는, 광유기 플래시 메모리 소자
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 광유기 플래시 메모리 소자의 게이트에, 양의 게이트 전압과 광신호가 동시에 인가될 때, 음의 문턱전압 변화 또는 지우기 동작이 구현되는, 광유기 플래시 메모리 소자
14 14
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 광유기 플래시 메모리 소자의 소스 전압, 게이트 전압, 및 드레인 전압이 광신호와 동시에 인가될 때, 소스 사이드 및 드레인 사이드 각각에 2비트의 광유기 메모리 동작이 구현되는, 광유기 플래시 메모리 소자
15 15
제11항에 있어서,상기 광유기 플래시 메모리 소자의 소스 전압, 게이트 전압, 및 드레인 전압이 광신호와 동시에 인가될 때, 상기 채널의 일측과 타측의 소스 사이드 및 드레인 사이드 각각에, 4비트의 광유기 메모리 동작이 구현되는, 광유기 플래시 메모리 소자
16 16
제10항 또는 제11항의 광유기 플래시 메모리 소자의 게이트에 인가되는 광신호와 전기신호의 조합을 통한 문턱전압의 변화를 이용하여 광을 검출하는, 광 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.