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확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015137419
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 워드라인의 간격 및/또는 비트라인의 간격을 줄여 각 셀의 전하저장 노드 면적을 확장시킴으로써, 메모리의 집적도는 동일하게 유지하더라도 메모리 셀의 소형화에 따른 문제점을 근본적으로 해결한 어레이 구조와 측벽공정을 통하여 경제적으로 용이하게 어레이를 제조하는 방법을 제공한다.전하저장노드, 낸드. 플래시, 메모리, 어레이, 제조방법
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020090039601 (2009.05.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1117604-0000 (2012.02.10)
공개번호/일자 10-2010-0120787 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 윤장근 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0273416-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077466-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0057721-33
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0237714-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0237691-82
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0533008-30
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0737192-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0689266-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
각 비트라인과 수직하게 교차하는 복수개의 워드라인 사이에서 정의된 복수개의 전하저장 노드를 갖는 메모리 셀들이 상기 각 비트라인을 따라 전기적으로 직렬 연결된 구성을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이에 있어서,상기 각 전하저장 노드를 정의하는 상기 각 워드라인의 선폭은 이웃한 워드라인 사이 간격보다 크고,상기 각 전하저장 노드를 정의하는 상기 각 비트라인의 선폭은 이웃한 비트라인 사이 간격보다 큰 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이
2 2
제 1 항에 있어서,상기 각 워드라인의 선폭은 이웃한 워드라인 사이 간격보다 2배 이상 큰 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이
3 3
제 2 항에 있어서,상기 워드라인 사이 간격은 2~50 nm인 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이
4 4
삭제
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 비트라인의 선폭은 이웃한 비트라인 사이 간격보다 2배 이상 큰 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이
6 6
소정의 반도체 기판에 복수개의 비트라인을 정의하는 제 1 단계와;상기 복수개의 비트라인이 형성된 기판상에 다중유전층, 게이트 물질 및 제 1 하드마스크 물질을 순차 적층하는 제 2 단계와;상기 제 1 하드마스크 물질을 식각하여 최소 크기(minimum feature size)의 폭과 간격을 갖는 제 1 하드마스크를 형성하는 제 3 단계와;상기 기판 상에 상기 게이트 물질과 식각률이 다른 물질을 증착하고 식각하여 상기 제 1 하드마스크 측면에 제 1 측벽을 형성하는 제 4 단계와;상기 제 1 하드마스크 및 상기 제 1 측벽을 식각 마스크로 이용하며 상기 게이트 물질을 식각하여 복수개의 워드라인을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 구성되되,상기 제 1 단계의 복수개 비트라인은,상기 기판에 제 2 하드마스크 물질을 증착하고 식각하여 최소 크기(minimum feature size)의 폭과 간격을 갖는 제 2 하드마스크를 형성하는 단계와;상기 기판 상에 상기 기판의 반도체 물질과 식각률이 다른 물질을 증착하고 식각하여 상기 제 2 하드마스크 측면에 제 2 측벽을 형성하는 단계와;상기 제 2 하드마스크 및 상기 제 2 측벽을 식각 마스크로 이용하며 상기 기판을 식각하여 분리 트렌치를 형성하는 단계를 거쳐 정의되는 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제 3 단계와 상기 제 4 단계 사이에는 상기 제 1 하드마스크를 식각 마스크로 이용하며 상기 게이트 물질을 일정 깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계가 더 포함되고,상기 제 4 단계의 제 1 측벽은 상기 제 1 하드마스크의 측면 및 상기 식각으로 드러난 게이트 물질의 트렌치 측면에 형성되고,상기 제 5 단계 이후에는 상기 제 1 하드마스크 및 상기 제 1 측벽을 제거한 다음, 상기 복수개의 워드라인을 식각 마스크로 하여 상기 다중유전층을 더 식각하고, 상기 기판 상에 이온주입공정을 실시하여 소스/드레인을 형성하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 제 2 하드마스크 물질의 식각은 최소 크기(minimum feature size)의 폭과 간격을 갖도록 일정 깊이만 식각하여 상기 제 2 하드마스크를 형성한 다음, 상기 제 2 하드마스크 및 상기 제 2 측벽을 식각 마스크로 이용하며 상기 제 2 하드마스크 물질 및 상기 기판을 순차적으로 식각하여 분리 트렌치를 형성하는 단계를 거쳐 복수개의 비트라인이 정의되는 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 다중유전층은 산화막/질화막/산화막이고,상기 제 1 하드마스크 물질은 산화막이고,상기 제 2 하드마스크 물질은 질화막이고,상기 제 1 측벽 물질 및 상기 제 2 측벽 물질은 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 확장된 전하저장 노드를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.