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일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135333
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 워드라인과 비트라인 사이에 PN 접합 또는 쇼트키(Schottky) 접합을 형성하고 워드라인과 접한 절연막을 파괴시킴으로써 프로그램하고, 상기 PN 접합 또는 쇼트키 접합의 성질을 이용하여 읽기하는 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이와 그 동작 및 제조방법에 관한 것이다. 일회프로그램, 비휘발성메모리, 어레이, PN접합, 쇼트키접합, Schottky
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020090102324 (2009.10.27)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1067412-0000 (2011.09.19)
공개번호/일자 10-2011-0045661 (2011.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 조성재 대한민국 서울특별시 강남구
3 이정훈 대한민국 경기 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0657956-67
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091741-33
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0286915-52
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0286840-26
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0358518-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
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준비된 P형 실리콘 기판에 N형 불순물 이온을 주입후 어닐링 공정을 수행하여 상기 기판 표면으로부터 일정 깊이에 수평으로 N형 불순물 도핑층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 기판 전면에 제 1 식각 마스크 물질을 증착후 식각하여 비트라인 방향으로 제 1 식각 마스크를 형성하는 제 2 단계와; 상기 제 1 식각 마스크로 상기 기판을 상기 N형 불순물 도핑층을 지나도록 식각하여 하나 이상의 실리콘 핀을 형성하는 제 3 단계와; 상기 제 1 식각 마스크를 제거하고, 상기 기판 전면에 분리절연막 물질을 증착하고 평탄화시켜 상기 실리콘 핀 사이에 분리절연막을 형성시키는 제 4 단계와; 상기 각 실리콘 핀 상부에 실리콘산화막을 형성시키는 제 5 단계와; 상기 기판 전면에 도전성 물질 및 제 2 식각 마스크 물질을 순차 증착한 후 상기 제 2 식각 마스크 물질을 식각하여 워드라인 방향으로 제 2 식각 마스크를 형성하는 제 6 단계와; 상기 제 2 식각 마스크로 상기 도전성 물질을 식각하여 하나 이상의 워드라인을 형성하는 제 7 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 제 7 단계는 상기 제 2 식각 마스크로 상기 실리콘산화막 및 상기 기판을 포함하여 식각하되 상기 N형 불순물 도핑층 내에서 식각이 멈추도록 한 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 도전성 물질은 금속 또는 불순물이 도핑된 실리콘계 물질인 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 도전성 물질이 금속인 경우, 상기 제 1 단계에서 상기 N형 불순물 도핑층은 기판 표면까지 이어지도록 하고, 상기 N형 불순물의 이온주입 농도는 상기 금속의 일함수보다 작도록 조절된 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 상기 N형 불순물 이온 주입을 전후하여 이온주입 에너지를 보다 작게하여 상기 기판에 P형 불순물 이온 주입을 더 실시한 다음, 상기 어닐링 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 일회 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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