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ＰＲＡＭ 물질층을 삽입층으로 갖는 ＲＲＡＭ 셀 및 이를 이용한 ＲＲＡＭ 어레이

  • 기술번호 : KST2015135238
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래 RRAM 셀 구조에 전도 경로 개폐용으로 하나 이상의 PRAM 물질층을 삽입층으로 적절히 형성함으로써, PRAM 물질층의 갯수에 따라 2bit, 4bit 등으로 MLC 동작이 가능하게 하여 결과적으로 고집적성 RRAM 어레이 구현이 가능하게 한 PRAM 물질층을 삽입층으로 갖는 RRAM 셀 및 이를 이용한 RRAM 어레이에 관한 것이다. PRAM, RRAM, 다중저항상태, MLC, 전이금속산화물, 켈코게나이드, GST
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090062719 (2009.07.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1034975-0000 (2011.05.07)
공개번호/일자 10-2011-0005157 (2011.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 유경창 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0419283-22
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0805068-35
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0561667-64
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0068828-77
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극과 상부전극 사이에 RRAM 물질층으로 이루어진 RRAM 셀에 있어서, 상기 RRAM 물질층에는 하나 이상의 PRAM 물질층이 삽입층으로 개재되고, 상기 각 PRAM 물질층의 양측에는 감싸기 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 RRAM 물질층은 상기 각 PRAM 물질층과 상기 각 PRAM 물질층의 양측에 형성된 감싸기 전극에 의하여 2개 이상의 층으로 나누어 형성되고, 상기 각 PRAM 물질층은 전도 경로를 개폐하며 다중저항상태를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 각 PRAM 물질층의 양측에 형성된 감싸기 전극 중 적어도 하나는 이웃한 RRAM 물질층으로 돌출된 돌출부를 갖는 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 감싸기 전극의 돌출부는 상기 PRAM 물질층의 하부에 접한 감싸기 전극에 형성되고, 상기 PRAM 물질층 및 상기 RRAM 물질층은 상기 감싸기 전극의 돌출부를 따라각각 돌출된 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 하부전극은 상기 상부전극보다 이웃한 상기 RRAM 물질층과의 접촉 면적이 작은 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 하부전극은 고리형 전극인 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 RRAM 물질층은 전이금속산화물(TMO) 중 단극(unipolar)계열의 이산화물(binary oxide)이고, 상기 PRAM 물질층은 켈코게나이드(chalcogenide) 물질인 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 감싸기 전극은 희토류 원소를 포함하여 형성된 도전층인 것을 특징으로 하는 RRAM 셀
9 9
하나 이상의 비트라인과; 상기 각 비트라인 상에 일정거리로 이격되며 복수개 형성된 수직 다이오드 기둥과; 상기 각 수직 다이오드 기둥 상에 RRAM 셀을 사이에 두고 상기 각 비트라인과 수직하게 형성된 복수개의 워드라인으로 형성되되, 상기 RRAM 셀은 상기 제 8 항에 의한 RRAM 셀로 상기 워드라인을 따라 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 RRAM 어레이
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 RRAM 셀의 하부전극 및 상부전극은 원기둥 또는 원통형의 플로그로 형성된 것을 특징으로 하는 RRAM 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.