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확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정방법
- 기술번호 : KST2015135508
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정방법에 관한 것으로, 리세스된 실리콘 핀에 채널이 형성되도록 함으로써, 채널길이를 길게 확장하여 누설전류로 작용하는 MOSFET 전류를 획기적으로 줄일 수 있고, 열산화공정 및 측벽공정에 의하여 양자점에 영향을 미치는 컨트롤 게이트의 커패시턴스 값이 최소가 되도록 함으로써, 동작온도를 높일 수 있는 효과가 있다.리세스, 채널, 양자점, 단전자, 트랜지스터, SET |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090100345 (2009.10.21) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1110736-0000 (2012.01.20) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0043295 (2011.04.27) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120215) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.10.21) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 이정업 | 대한민국 | 충청북도 청주시 흥덕구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0645433-75 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.01.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0005435-34 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.02.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0075901-77 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0117824-87 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.02.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0117798-87 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0606768-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 SOI 기판의 매몰산화막 상에 리세스된 채널영역을 갖도록 수직하게 파여진 실리콘층과;상기 채널영역 상에 형성된 제 1 게이트 절연막과;상기 제 1 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 채널영역의 양측 모서리 면상에 채널방향으로 일정거리 이격되어 형성된 제 1 및 제 2 사이드 게이트와;상기 각 사이드 게이트에 제 2 게이트 절연막를 사이에 두고 상기 매몰산화막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 사이드 게이트 사이 채널영역 상의 상기 제 1 게이트 절연막 상에도 상기 제 2 게이트 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 사이드 게이트 사이 채널영역 상의 상기 제 2 게이트 절연막의 양 측벽에 제 3 게이트 절연막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 실리콘층은 수직한 핀 형상에 상기 리세스된 채널영역을 갖고, 상기 채널영역 양측에 소스/드레인이 형성되되,상기 소스/드레인은 상기 수직한 핀 양측에 상기 채널영역의 리세스된 깊이보다 얕은 접합을 갖도록 형성된 shallow doping 영역으로 연결된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 리세스된 채널영역 양측은 필드산화막으로 둘러싸이고,상기 각 사이드 게이트은 상기 채널영역의 양측 모서리 면상 및 상기 필드산화막과 상기 매몰산화막이 이루는 양측 모서리 면상에 측벽 게이트로 형성된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 |
| 6 |
6 SOI 기판 상에 식각률이 서로 다른 하나 이상의 하드 마스크용 물질층을 증착하고, 상기 하드 마스크용 물질층 상부에 제 1 절연성 물질 도포후 미세 패턴을 형성하는 제 1 단계와;상기 기판 전면에 감광막을 도포후 식각공정을 통하여 소스/드레인 및 핀 형상의 채널 형성을 위한 믹스엔매치(mix and match) 패턴을 형성하는 제 2 단계와;상기 믹스엔매치 패턴을 마스크로 상기 하드 마스크용 물질층을 식각하여 하드 마스크를 형성하고, 상기 하드 마스크로 상기 SOI 기판의 실리콘층을 식각하여 소스/드레인 패드 및 핀 형상의 채널영역을 형성하는 제 3 단계와;상기 기판 전면에 필드산화막을 증착하고 평탄화시키는 제 4 단계와;상기 평탄화된 기판 전면에 제 2 절연성 물질을 증착하고, 상기 제 2 절연성 물질 상에 제 2의 감광막을 도포후 식각공정을 통하여 리세스 채널 형성을 위한 제 2의 감광막 패턴을 형성하는 제 5 단계와;상기 제 2의 감광막 패턴을 마스크로 상기 제 2 절연성 물질 및 상기 필드산화막을 순차 식각하여 상기 핀 형상의 채널영역을 드러내는 제 6 단계와;상기 제 2의 감광막 패턴을 마스크로 상기 핀 형상의 채널영역을 식각하여 리세스된 채널영역을 형성하는 제 7 단계와;상기 제 2의 감광막 패턴을 제거하고, 열산화공정으로 상기 리세스된 채널영역 상에 제 1 게이트 절연막을 형성하는 제 8 단계와;상기 기판 전면에 게이트 물질을 증착하고 비등방성으로 식각하여 상기 리세스된 채널영역 양 측벽에 제 1, 2 측벽 게이트를 형성하는 제 9 단계와;상기 각 측벽 게이트 상에 제 2 게이트 절연막을 형성하는 제 10 단계와;상기 기판 전면에 게이트 물질을 증착하고 평탄화시켜 상기 제 2 절연성 물질이 드러나게 한 다음, 상기 드러난 제 2 절연성 물질을 제거하여 컨트롤 게이트를 형성하는 제 11 단계와;상기 기판 전면에 불순물 이온주입을 통하여 상기 컨트롤 게이트에 이웃한 상기 핀 형상의 채널영역 및 상기 소스/드레인 패드에 상기 채널영역의 리세스된 깊이보다 얕은 접합을 갖도록 shallow doping 층을 각각 형성하는 제 12 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터의 공정방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 제 10 단계의 상기 제 2 게이트 절연막은 상기 측벽 게이트 사이에 노출된 채널영역 상에도 형성되고,상기 제 10 단계와 상기 제 11 단계 사이에는 절연막의 증착과 비등방성 식각으로 상기 측벽 게이트 사이에 노출된 채널영역 상의 상기 제 2 게이트 절연막의 측벽에 제 3 게이트 절연막 측벽을 형성하는 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터의 공정방법 |
| 8 |
8 제 6 항에 있어서,상기 하드 마스크용 물질층은 산화막층 및 실리콘계 물질층이 순차적으로 증착된 것이고,상기 제 3 단계의 상기 하드 마스크용 물질층 식각은 상기 실리콘계 물질층 및 상기 산화막층이 순차 식각되고, 상기 믹스엔매치 패턴으로 식각된 상기 산화막층을 하드 마스크로 하여 상기 SOI 기판의 실리콘층을 식각하여 소스/드레인 패드 및 핀 형상의 채널영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터의 공정방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 실리콘계 물질층은 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘이고, 상기 제 1 절연성 물질 및 상기 제 2의 감광막은 HSQ 또는 ZEP이고,상기 제 2 절연성 물질은 질화물(nitride)인 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터의 공정방법 |
| 10 |
10 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 12 단계 이후에 상기 기판 전면에 필드산화막을 더 증착하고 비등방성으로 식각하여 상기 컨트롤게이트 양측에 산화막 측벽을 형성한 다음, 불순물 이온주입을 통하여 상기 소스/드레인 패드에 상기 shallow doping 층보다 깊은 접합을 갖도록 deep doping 층을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터의 공정방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1110736-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091021 출원 번호 : 1020090100345 공고 연월일 : 20120215 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111020 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 확장된 채널을 갖는 단전자 트랜지스터 및 그 공정방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2012년 01월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 01월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 12월 21일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2019년 08월 28일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0645433-75 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.01.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0005435-34 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.02.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0075901-77 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0117824-87 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.02.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0117798-87 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 8 | 등록결정서 | 2011.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0606768-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345096965 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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