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돌출된 바디를 저장노드로 하는 메모리 셀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135234
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1T DRAM 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 돌출된 바디를 형성하고 바디 일측에 적절한 하이 도핑을 함으로써, excess hole을 소스와 드레인으로부터 고립시켜 SRH recombination을 막을 수 있도록 하여, 1T DRAM이라도 종래보다 retention time을 2배 이상 향상시킬 수 있고, 높은 sensing margin의 확보는 물론 read 속도도 개선할 수 있게 된 효과가 있다. 돌출, 바디, 저장노드, 1T DRAM, 메모리 셀
Int. CL H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 27/108(2013.01) H01L 27/108(2013.01) H01L 27/108(2013.01) H01L 27/108(2013.01)
출원번호/일자 1020090049080 (2009.06.03)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1089659-0000 (2011.11.29)
공개번호/일자 10-2010-0130407 (2010.12.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 김가람 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0336262-05
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0078439-09
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0119432-39
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0486836-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SOI 기판의 매몰산화막 상에 일정거리 이격되어 형성된 소스 및 드레인과; 상기 소스 및 드레인 사이에서 상기 소스 및 드레인보다 높게 돌출되어 형성된 바디영역과; 상기 바디영역의 적어도 일 측면 상에 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 바디영역은 상기 소스 및 드레인보다 1
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 바디영역의 양 측면에 각각 절연막을 사이에 두고 더블게이트로 형성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바디영역 상부에는 P형 불순물로 5
5 5
SOI 기판으로 액티브 패터닝 후 제 1 불순물로 바디 도핑하는 제 1 단계와; 상기 기판 상에 게이트 물질 및 하드 마스크 물질을 순차 증착하는 제 2 단계와; 상기 하드 마스크 물질을 소정의 게이트 길이로 패터닝하여 하드 마스크를 형성하고, 상기 하드 마스크로 상기 게이트 물질 및 상기 SOI 기판의 실리콘을 순차 식각하여 게이트를 형성하면서 상기 게이트가 감싸는 바디를 돌출시키는 제 3 단계와; 상기 기판에 제 2 불순물로 도핑하여 소스/드레인을 형성하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 메모리 셀의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 상기 SOI 기판 실리콘 식각은 상기 제 1 단계에서의 상기 제 1 불순물 도핑 에너지를 고려하여, 상기 제 1 불순물이 제거되는 위치까지 식각하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계의 제 2 불순물 도핑은 상기 하드 마스크를 제거하고 상기 게이트에도 함께 하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀의 제조방법
8 8
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 불순물은 P형 불순물이고, 상기 제 1 단계의 바디 도핑은 P형 불순물로 5
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.