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비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118493
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 기판 양측의 소정 영역에 쇼트키 접합으로 형성되는, 소오스 및 드레인, 소오스 및 드레인 사이에 형성되는 채널영역, 채널 영역상에 형성되는 부유게이트를 포함한다. 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 쓰기 동작을 낮은 전압, 짧은 시간에 가능하게 하고, 쇼트키 장벽 트랜지스터의 고유의 소자 축소에 강한 점을 이용하여, 고집적에 따른 단채널 효과(short channel effect)를 억제시켜 정확한 데이터 판독이 가능한 고집적 메모리 소자를 제공할 수 있다. 비휘발성 메모리, 쇼트키 접합, 도펀트 편석, 열전자
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020080095719 (2008.09.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0986048-0000 (2010.10.01)
공개번호/일자 10-2010-0036476 (2010.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20101008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.30)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 최성진 대한민국 대전 유성구
3 한진우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0685207-55
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0278820-93
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0527997-82
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0528005-05
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0433619-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판의 양단의 소정 영역에 쇼트키 접합으로 형성된 소오스 및 드레인; 상기 소오스 및 드레인 사이에 형성된 채널영역; 및 상기 채널 영역상에 형성된 부유게이트와 상기 부유게이트 상에 형성된 제어게이트를 갖는 게이트 구조체; 를 포함하되, 상기 소오스 및 드레인은 다수의 캐리어를 전자로 사용하는 경우, 어븀, 이터븀, 사마륨, 이트륨, 가돌륨, 터븀 및 세륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
2 2
기판; 상기 기판의 양단의 소정 영역에 쇼트키 접합으로 형성되는 소오스 및 드레인; 상기 소오스 및 드레인 사이에 형성된 채널 영역; 상기 채널 영역상에 형성된 부유게이트와 상기 부유게이트 상에 형성된 제어게이트를 갖는 게이트 구조체; 및 상기 소오스 및 드레인과 상기 기판 사이에 형성된 도펀트 편석영역; 을 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인은 다수의 캐리어를 전자로 사용하는 경우, 어븀, 이터븀, 사마륨, 이트륨, 가돌륨, 터븀 및 세륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 채널 영역 및 상기 부유게이트 사이에 형성된 제1 절연층을 더 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부유게이트 및 상기 제어게이트 사이에 형성된 제2 절연층을 더 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 게르마늄 및 인장 실리콘 게르마늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 게이트 구조체의 양 측을 둘러싸도록 형성된 스페이서를 더 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
8 8
(a) 기판 상에 게이트 구조체를 형성하는 단계; (b) 상기 기판과 게이트 구조체를 둘러싸도록 금속막을 형성하는 단계; (c) 상기 금속막을 열처리하는 단계; 및 (d) 상기 (c)단계 후, 미반응 금속막을 제거하여, 쇼트키 접합으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 를 포함하되, 상기 금속막은 어븀, 이터븀, 사마륨, 이트륨, 가돌륨, 터븀 및 세륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
9 9
(a) 기판 상에 게이트 구조체를 형성하는 단계; (b) 상기 게이트 구조체의 양 측의 상기 기판의 표면에 이온 주입층을 형성하는 단계; (c) 상기 기판과 게이트 구조체를 둘러싸도록 금속막을 형성하는 단계; (d) 상기 금속막을 열처리하는 단계; 및 (e) 상기 (d)단계 후, 미반응 금속막을 제거하여, 쇼트키 접합으로 이루어진 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 금속막은 어븀, 이터븀, 사마륨, 이트륨, 가돌륨, 터븀 및 세륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 (b)단계에서, 상기 이온 주입층은, 다수 캐리어를 전자로 사용하는 경우에는, 아세닉 및 주기율표 5족의 물질 중 하나를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 (b)단계에서, 상기 이온 주입층은, 다수 캐리어를 홀로 사용할 경우, 보론 및 주기율표 3족의 물질 중 하나를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 (d)단계에서의 열처리 방법은, 급속 열처리 과정(rapid thermal annealing), 퍼니스 열처리 과정(furnace annealing) 및 레이저 열처리 과정(laser annealing) 중 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
14 14
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 (a)단계는, (a-1) 상기 기판 상에 부유게이트를 형성하는 단계; 및 (a-2) 상기 부유게이트 상에 제어게이트를 형성하는 단계; 를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 (a-1)단계는, 상기 기판 상에 제1 절연층을 형성하고, 상기 제1 절연층 위에 상기 부유게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 (a-2)단계는, 상기 부유게이트 상에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층 위에 상기 제어게이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
17 17
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 게르마늄 및 인장 실리콘 게르마늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
18 18
기판, 상기 기판의 양단의 소정 영역에 쇼트키 접합으로 형성되는 소오스 및 드레인, 상기 소오스 및 드레인 사이에 형성되는 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성되는 부유게이트와 상기 부유게이트 상에 형성되는 제어게이트를 갖는 게이트 구조체 및 상기 소오스 및 드레인과 상기 기판 사이에 형성된 도펀트 편석영역을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서, 상기 소오스 및 드레인의 다수의 캐리어가 상기 채널 영역으로 주입되어 상기 부유게이트에 저장되고, 상기 소오스 및 드레인에서 주입되는 전자는 도펀트 편석현상에 의해 여분의 운동에너지를 가지게 되어 열전자로 되도록 하기 위해, 상기 소오스 및 드레인에 영의 전압을 인가하고, 상기 제어게이트에 양의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자의 구동방법
19 19
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20 20
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국가 R&D 정보가 없습니다.