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범위 매칭 셀 및 이를 이용한 캠
- 기술번호 : KST2015160705
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 범위 매칭 셀(Range-matching cell) 및 이를 이용한 캠(Content addressable memories)으로서, 데이터를 전송하는 비트 라인과 반전 비트 라인을 구비하는 비트라인 쌍, 워드라인, 상기 워드 라인과 상기 비트라인 쌍에 연결되며 상기 워드라인이 활성화되면 상기 비트라인 쌍을 통하여 전송되는 상기 데이터를 저장하는 메모리 셀, 매치 라인, 서치 데이터를 전송하는 서치 라인과 반전 서치 라인을 구비하는 서치 라인 쌍, 상기 메모리 셀과 상기 서치라인 쌍 및 상기 매치 라인에 연결되며, 상기 메모리 셀에 저장된 상기 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 서치 데이터에 응답하여 상기 매치 라인에 직렬 연결된 제 1 스위칭 소자를 온(ON) 또는 오프(OFF)시키는 제 1 비교부, 상기 제 1 스위칭 소자가 오프(OFF)되면 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터에 응답하여 상기 매치라인을 그라운드 전압 또는 기 결정된 전압에 연결시키는 제 2 비교부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 범위 매칭 셀을 이용하여 크기 비교를 함으로써, 0,1 및 X(don't care) bit를 이용하여 범위 검색을 수행하는 기존의 TCAM(Ternary content addressable memories)에 비해 메모리를 효율적으로 사용할 수 있는 효과가 있다. 결과적으로, 업데이트도 보다 효율적으로 할 수 있으며, 소비 전력을 줄일 수 있는 장점이 있다. |
|---|---|
| Int. CL | G11C 15/00 (2006.01) |
| CPC | G11C 15/04(2013.01) G11C 15/04(2013.01) G11C 15/04(2013.01) G11C 15/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060010766 (2006.02.03) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단, (주)글로넷시스템즈 |
| 등록번호/일자 | 10-0684115-0000 (2007.02.12) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20070216) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.02.03) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 주식회사 인칩스테크놀로지스 | 대한민국 | 서울특별시 구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정덕균 | 대한민국 | 서울 서초구 |
| 2 | 김영덕 | 대한민국 | 서울 영등포구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
| 2 | 김원준 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | (주)글로넷시스템즈 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0083557-97 |
| 2 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.02.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0085661-84 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2006.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0026163-24 |
| 4 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0131136-49 |
| 5 | 보정요구서 Request for Amendment |
2006.03.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0031856-74 |
| 6 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.03.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0153592-50 |
| 7 | 서지사항보정서(납부자번호) Amendment to Bibliographic items(Payer Number) |
2006.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0152172-19 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.11.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0668514-91 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199049-95 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-0052192-37 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-0007072-92 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 데이터를 전송하는 비트 라인과 반전 비트 라인을 구비하는 비트라인 쌍;워드라인;상기 워드 라인과 상기 비트라인 쌍에 연결되며 상기 워드라인이 활성화되면 상기 비트라인 쌍을 통하여 전송되는 상기 데이터를 저장하는 메모리 셀;매치 라인;서치 데이터를 전송하는 서치 라인과 반전 서치 라인을 구비하는 서치 라인 쌍;상기 메모리 셀과 상기 서치라인 쌍 및 상기 매치 라인에 연결되며, 상기 메모리 셀에 저장된 상기 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 서치 데이터에 응답하여 상기 매치 라인에 직렬 연결된 제 1 스위칭 소자를 온(ON) 또는 오프(OFF)시키는 제 1 비교부; 및상기 제 1 스위칭 소자가 오프(OFF)되면 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터에 응답하여 상기 매치라인을 그라운드 전압 또는 기 결정된 전압에 연결시키는 제 2 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 셀은,상기 데이터를 저장하는 저장부와, 상기 비트라인 쌍과 상기 저장부를 연결하고, 상기 비트라인 쌍을 통하여 입력되는 상기 데이터를 상기 저장부로 인가하는 연결수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 저장부는, 제 1 인버터 및 제 2 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서, 상기 연결수단은, 워드라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 비교부는, 상기 비트라인을 통하여 전송되는 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터가 서로 일치하면 상기 제 1 스위칭 소자를 온(ON)시키고, 상기 비트라인을 통하여 전송되는 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터가 서로 불일치하면 상기 제 1 스위칭 소자를 오프(OFF)시키는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 제 2 비교부는, 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터가 서로 일치하면, 상기 매치라인을 그라운드 전압에 연결시키고, 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터가 서로 불일치하면, 상기 매치라인을 기 결정된 전압에 연결시키는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 7 |
7 제 2 항에 있어서,상기 제 1 비교부는, 상기 서치라인과 상기 매치 라인에 직렬 연결된 상기 스위칭 소자를 연결하는 제 2 스위칭 소자를 구비하고, 상기 제 2 스위칭 소자는 상기 저장부에 연결되는 제어 입력을 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 제 2 비교부는,상기 매치 라인과 그라운드 전압을 직렬로 연결하는 제 3 스위칭 소자, 제 4 스위칭 소자, 제 5 스위칭 소자를 포함하고,상기 제 3 스위칭 소자는 상기 매치 라인과 상기 제 4 스위칭 소자를 연결하며, 상기 제 1 비교부에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 4 스위칭 소자는 상기 제 3 스위칭 소자와 상기 제 5 스위칭 소자를 연결하고, 상기 서치라인에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 5 스위칭 소자는 상기 제 4 스위칭 소자와 그라운드 전압을 연결하고, 상기 연산자 데이터가 제어 입력되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 제 2 비교부는,상기 기 결정된 전압과 매치 라인을 직렬로 연결하는 제 6 스위칭 소자와 제 7 스위칭 소자;제 8 스위칭 소자; 제 1 연산 스위칭 소자; 제 2 연산 스위칭 소자;를 포함하고,상기 제 6 스위칭 소자는 상기 제 1 비교부에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 7 스위칭 소자는 제 1 연산자 데이터와 제 2 연산자 데이터의 OR 연산 결과가 제어 입력되고,상기 제 8 스위칭 소자는 상기 매치라인과 상기 제 1 연산 스위칭 소자 및 제 2 연산 스위칭 소자와 연결되고, 상기 제 1 비교부의 반전 출력이 제어 입력되며, 상기 제 1 연산 스위칭 소자는 상기 반전 서치 라인과 상기 제 8 스위칭 소자와 연결되고, 제 1 연산자 데이터가 제어 입력되며,상기 제 2 연산 스위칭 소자는 상기 서치 라인과 상기 제 8 스위칭 소자와 연결되고, 제 2 연산자 데이터가 제어 입력되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀(Range-matching cell) |
| 10 |
10 칼럼(column) 방향의 N개의 비트라인 쌍; 및상기 N 개의 비트라인 쌍 각각에 연결되는 N 개의 메모리 장치들을 구비하고,상기 각각의 메모리 장치는,상기 칼럼 방향의 비트라인 쌍으로부터 인가되는 데이터를 상기 메모리 장치로 전송하는 비트 라인과 반전 비트 라인을 구비하는 비트라인 쌍;워드라인;상기 워드 라인과 상기 비트라인 쌍에 연결되며 상기 워드라인이 활성화되면 상기 비트라인 쌍을 통하여 전송되는 상기 데이터를 저장하는 메모리 셀;매치 라인;서치 데이터를 전송하는 서치 라인과 반전 서치 라인을 구비하는 서치 라인 쌍;상기 메모리 셀과 상기 서치라인 쌍 및 상기 매치 라인에 연결되며, 상기 메모리 셀에 저장된 상기 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 서치 데이터에 응답하여 상기 매치 라인에 직렬 연결된 제 1 스위칭 소자를 온(ON) 또는 오프(OFF)시키는 제 1 비교부; 및상기 제 1 스위칭 소자가 오프(OFF)되면 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터에 응답하여 상기 매치라인을 그라운드 전압 또는 기 결정된 전압에 연결시키는 제 2 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 11 |
11 제 10항에 있어서,상기 매치 라인은 그라운드 전압 및 인버터에 연결되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 메모리 셀은,상기 데이터를 저장하는 저장부와, 상기 비트라인 쌍과 상기 저장부를 연결하고, 상기 비트라인 쌍을 통하여 입력되는 상기 데이터를 상기 저장부로 인가하는 연결수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 저장부는, 제 1 인버터 및 제 2 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 연결수단은, 워드라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서,상기 제 1 비교부는, 상기 비트라인을 통하여 전송되는 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터가 서로 일치하면 상기 제 1 스위칭 소자를 온(ON)시키고, 상기 비트라인을 통하여 전송되는 데이터와 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터가 서로 불일치하면 상기 제 1 스위칭 소자를 오프(OFF)시키는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 16 |
16 제 10 항에 있어서,상기 제 2 비교부는, 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터가 서로 일치하면, 상기 매치라인을 그라운드 전압에 연결시키고, 상기 서치 라인을 통하여 전송되는 상기 서치 데이터와 저장된 연산자 데이터가 서로 불일치하면, 상기 매치라인을 기 결정된 전압에 연결시키는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 17 |
17 제 12 항에 있어서,상기 제 1 비교부는, 상기 서치라인과 상기 매치 라인에 직렬 연결된 상기 스위칭 소자를 연결하는 제 2 스위칭 소자를 구비하고, 상기 제 2 스위칭 소자는 상기 저장부에 연결되는 제어 입력을 구비하는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 18 |
18 제 10 항에 있어서,상기 제 2 비교부는,상기 매치 라인과 그라운드 전압을 직렬로 연결하는 제 3 스위칭 소자, 제 4 스위칭 소자, 제 5 스위칭 소자를 포함하고,상기 제 3 스위칭 소자는 상기 매치 라인과 상기 제 4 스위칭 소자를 연결하며, 상기 제 1 비교부에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 4 스위칭 소자는 상기 제 3 스위칭 소자와 상기 제 5 스위칭 소자를 연결하고, 상기 서치라인에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 5 스위칭 소자는 상기 제 4 스위칭 소자와 그라운드 전압을 연결하고, 상기 연산자 데이터가 제어 입력되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 19 |
19 제 10 항에 있어서,상기 제 2 비교부는,상기 기 결정된 전압과 매치 라인을 직렬로 연결하는 제 6 스위칭 소자와 제 7 스위칭 소자;제 8 스위칭 소자; 제 1 연산 스위칭 소자; 제 2 연산 스위칭 소자;를 포함하고,상기 제 6 스위칭 소자는 상기 제 1 비교부에 연결되는 제어 입력을 구비하고,상기 제 7 스위칭 소자는 제 1 연산자 데이터와 제 2 연산자 데이터의 OR 연산 결과가 제어 입력되고,상기 제 8 스위칭 소자는 상기 매치라인과 상기 제 1 연산 스위칭 소자 및 제 2 연산 스위칭 소자와 연결되고, 상기 제 1 비교부의 반전 출력이 제어 입력되며, 상기 제 1 연산 스위칭 소자는 상기 반전 서치 라인과 상기 제 8 스위칭 소자와 연결되고, 제 1 연산자 데이터가 제어 입력되며,상기 제 2 연산 스위칭 소자는 상기 서치 라인과 상기 제 8 스위칭 소자와 연결되고, 제 2 연산자 데이터가 제어 입력되는 것을 특징으로 하는 범위 매칭 셀을 이용한 캠(Content addressable memories) |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP04891346 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP21525561 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US20090219739 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | WO2007089065 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2009525561 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP2009525561 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2009525561 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP4891346 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2009219739 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 6 | WO2007089065 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0684115-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060203 출원 번호 : 1020060010766 공고 연월일 : 20070216 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061114 청구범위의 항수 : 19 유별 : G11C 15/00 발명의 명칭 : 범위 매칭 셀 및 이를 이용한 캠 존속기간(예정)만료일 : 20140213 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) (주)글로넷시스템즈 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 553,500 원 | 2007년 02월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2010년 02월 12일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 595,400 원 | 2011년 05월 12일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2012년 02월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2013년 02월 12일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.02.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0083557-97 |
| 2 | 서지사항보정서 | 2006.02.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0085661-84 |
| 3 | 보정요구서 | 2006.02.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0026163-24 |
| 4 | 서지사항보정서 | 2006.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0131136-49 |
| 5 | 보정요구서 | 2006.03.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2006-0031856-74 |
| 6 | 명세서등보정서 | 2006.03.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0153592-50 |
| 7 | 서지사항보정서(납부자번호) | 2006.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0152172-19 |
| 8 | 등록결정서 | 2006.11.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0668514-91 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199049-95 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-0052192-37 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-0007072-92 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415079066 |
|---|---|
| 세부과제번호 | B0000058 |
| 연구과제명 | 마이크로나노반도체연구기반혁신사업 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200306~200805 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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