요약 | 본 발명에 의한 고주파 스위치 회로는 DC 블럭킹 커패시터(DC blocking capacitor)를 이용하여 각 트랜지스터를 DC 적으로 분리하여 오프 상태 트랜지스터를 더 deep pinch off시키고, 온 상태 트랜지스터에 최대 전류가 흐르는 바이어스를 제공한다. 또한 증식형(Enhancement mode) 트랜지스터를 사용하여 공핍형(depletion mode) 트랜지스터에 비해 같은 게이트 전압으로 더 deep pinch off시킬 수 있고 고주파 스위치가 큰 Pmax를 갖도록 한다. 고주파 스위치 회로, DC 블럭킹 커패시터, 증식형 트랜지스터 |
---|---|
Int. CL | H04B 1/40 (2006.01) H03K 17/00 (2006.01) |
CPC | H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) H03K 17/6871(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080029443 (2008.03.31) |
출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
등록번호/일자 | 10-0967847-0000 (2010.06.28) |
공개번호/일자 | 10-2009-0104157 (2009.10.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100705) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.03.31) |
심사청구항수 | 6 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서광석 | 대한민국 | 서울 강남구 |
2 | 장경철 | 대한민국 | 서울 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인세하 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0229558-92 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0070027-39 |
4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0069447-72 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.02.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0082256-55 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0143688-83 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0143700-44 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.06.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0254968-89 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 복수의 고주파 신호경로 중 하나 이상을 도통시키고 나머지를 차단시키는 고주파 스위치 회로로서 상기 복수의 고주파 신호경로 각각은 상기 고주파 신호경로의 일단에 결합된 제 1 커패시터; 상기 제 1 커패시터와 상기 고주파 신호경로의 타단 사이에 결합된 용량성 스루 스위치 요소; 및 상기 제 1 커패시터와 상기 용량성 스루 스위치 요소 사이에 일단이 접속하고 타단은 전압제어단자 사이에 결합된 용량성 션트 스위치 요소 를 포함하는 고주파 스위치 회로 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 용량성 스루 스위치 요소는 단일의 제 2 커패시터 및 단일 스루 트랜지스터이고, 상기 용량성 션트 스위치 요소는 단일의 제 3 커패시터 및 단일 션트 트랜지스터인 고주파 스위치 회로 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 용량성 스루 스위치 요소는 복수의 제 2 커패시터 및 복수의 트랜지스터이고, 상기 용량성 션트 스위치 요소는 복수의 제 3 커패시터 및 복수의 트랜지스터인 고주파 스위치 회로 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 고주파 신호경로 각각에서의 상기 전압제어단자와 상기 용량성 스루 스위치 요소에 대한 전압제어수단은 동시에 같은 전압을 인가하고, 상기 용량성 션트 스위치 요소에 대한 전압제어수단은 동시에 반대의 전압을 인가하여 상기 복수의 고주파 신호경로 각각을 도통 또는 차단시키는 고주파 스위치 회로 |
5 |
5 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 커패시터, 상기 제 2 커패시터 그리고 상기 제 3 커패시터는 MIM 커패시터인 고주파 스위치 회로 |
6 |
6 제 3 항에 있어서, 상기 용량성 스루 스위치 요소의 복수의 트랜지스터 및 상기 용량성 션트 스위치 요소의 복수의 트랜지스터는 증식형(Enhancement mode) 트랜지스터인 고주파 스위치 회로 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
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특허 등록번호 | 10-0967847-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080331 출원 번호 : 1020080029443 공고 연월일 : 20100705 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100616 청구범위의 항수 : 6 유별 : H04B 1/40 발명의 명칭 : 증식형 소자를 이용한 고주파 스위치 회로 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2010년 06월 29일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 172,000 원 | 2013년 06월 11일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 172,000 원 | 2014년 06월 13일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2015년 06월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 328,000 원 | 2016년 02월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 229,600 원 | 2017년 05월 24일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2018년 05월 21일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 285,000 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 285,000 원 | 2020년 06월 19일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0229558-92 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.10.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2008.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0070027-39 |
4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.02.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0069447-72 |
5 | 의견제출통지서 | 2010.02.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0082256-55 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.03.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0143688-83 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.03.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0143700-44 |
8 | 등록결정서 | 2010.06.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0254968-89 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345071023 |
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세부과제번호 | 과06A1501 |
연구과제명 | 화학분자공학사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1415079066 |
---|---|
세부과제번호 | B0000058 |
연구과제명 | 마이크로나노반도체연구기반혁신사업 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200306~200805 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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