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핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이

  • 기술번호 : KST2015160182
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직 채널구조를 갖는 노아 플래시 메모리 어레이에 관한 것으로, 수직으로 형성된 실리콘 핀들의 각 중앙에 핀분리층이 내재 되도록 함으로써, 쌍을 이루는 셀간의 간섭(PCI)을 근본적으로 막고, 상기 핀분리층을 기판 아래 하부 비트 라인의 접합 깊이까지 충분히 내려오도록 형성함으로써, 하부 비트 라인들을 핀의 옆부분까지 확산시켜 상, 하 비트 라인간에 대칭적인 동작을 가능하게 함은 물론, 하부 비트 라인들 간의 누설전류를 원천적으로 막아 종래 수직 채널 노아 플래시 메모리 어레이의 문제점을 완전하게 해결한 효과가 있다. 핀분리층, 수직 채널, 노아, 플래시 메모리, 어레이
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01)
출원번호/일자 1020080063980 (2008.07.02)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1002246-0000 (2010.12.13)
공개번호/일자 10-2010-0003923 (2010.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20101220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 윤장근 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0478816-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0122325-35
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0323741-83
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0323722-15
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0402309-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
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적어도 하나 이상의 실리콘 핀이 형성된 실리콘 기판과, 상기 실리콘 핀 상에 전하저장소를 사이에 두고 상기 실리콘 핀과 교차하며 형성된 하나 이상의 게이트 라인을 포함하여 구성된 노아 플래시 메모리 어레이에 있어서, 상기 각 실리콘 핀은 좌, 우측으로 핀을 분리시키는 핀분리층이 핀의 길이 방향에 대하여 적어도 일부분 형성되고, 상기 각 실리콘 핀 상부에는 상기 핀분리층을 사이에 두고 상부 비트 라인이 형성되고, 상기 각 실리콘 핀 하부 및 상기 기판에는 상기 핀분리층을 사이에 두고 하부 비트 라인이 형성되고, 상기 게이트 라인은 워드 라인을 포함하되, 상기 핀분리층은 적어도 상기 하부 비트 라인의 접합 깊이까지 형성된 것을 특징으로 하는 핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이
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제 3 항에 있어서, 상기 핀분리층은 에어 갭(air gap)으로 형성되거나 절연막으로 채워진 것을 특징으로 하는 핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이
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제 4 항에 있어서, 상기 전하저장소는 전하 트랩층을 포함한 절연막층 또는 도전층을 포함한 플로팅 게이트인 것을 특징으로 하는 핀분리층이 내재된 수직 채널의 노아 플래시 메모리 어레이
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