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저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자의제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자

  • 기술번호 : KST2014058588
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자 제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자가 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화기록소자의 정보기록방법은 하부전극, 하부전극 상에 형성된 전이금속 산화물 박막, 전이금속 산화물 박막 상에 형성된 상부전극의 구조를 포함하는 저항변화기록소자의 정보기록방법에 있어서, 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 전이금속 산화물 박막을 양극 저항 스위칭(bipolar resistance switching, BRS) 특성이 나타나도록 포밍(forming)한다. 그리고, 포밍된 전이금속 산화물 박막에 전이금속 산화물 박막의 단극 저항 스위칭(unipolar reseistance swtching, URS)의 셋(set) 전압의 크기보다 작고, 소프트셋(soft set)의 전압의 크기보다 큰 상호 반대되는 극성을 가지는 전압을 각각 인가하여, 전이금속 산화물 박막의 저항을 변화시킨다. 그리고, 전이금속 산화물 박막의 저항 크기에 따라 "0" 또는 "1"을 할당한다. 본 발명에 따르면, 양극 저항 스위칭 특성을 이용하여 저항변화기록소자의 전력소모를 줄일 수 있고, 저항 스위칭 시간을 짧게 하여 소자의 속도를 향상시킬 수 있다. 그리고 컴플라이언스 전류를 인가하여 "0", "1"의 두 개의 상태뿐만 아니라 복수의 상태를 갖는 자기변화기록소자를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC G11C 13/0035(2013.01) G11C 13/0035(2013.01) G11C 13/0035(2013.01)
출원번호/일자 1020070065754 (2007.06.29)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1307253-0000 (2013.09.05)
공개번호/일자 10-2009-0001397 (2009.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김경민 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0480097-87
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0094949-66
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0581116-58
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0620075-23
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0982904-97
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0065829-77
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0141505-15
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0141513-70
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0401171-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 전이금속 산화물 박막, 상기 전이금속 산화물 박막 상에 형성된 상부전극의 구조를 포함하는 저항변화기록소자의 정보기록방법에 있어서,상기 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 상기 전이금속 산화물 박막을 양극 저항 스위칭(bipolar resistance switching, BRS) 특성이 나타나도록 양극 저항 스위칭 포밍(forming)하는 단계;상기 포밍된 전이금속 산화물 박막에 별도의 전류 인가 없이, 상기 전이금속 산화물 박막의 단극 저항 스위칭(unipolar resistance switching, URS)의 셋(set) 전압의 크기보다 작고, 소프트셋(soft set) 전압의 크기보다 큰 상호 반대되는 극성을 가지는 전압을 각각 인가하여, 상기 전이금속 산화물 박막의 저항을 변화시키는 단계; 및상기 전이금속 산화물 박막의 저항 크기에 따라 "0" 또는 "1"을 할당하는 단계;를 포함하며,상기 소프트셋 전압은 상기 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 전압 스윕(voltage sweep)할 때, 단극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 작은 크기의 전압에서 전류의 크기가 불연속적으로 증가하는 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자의 정보기록방법
2 2
하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 전이금속 산화물 박막, 상기 전이금속 산화물 박막 상에 형성된 상부전극의 구조를 포함하는 저항변화기록소자의 정보기록방법에 있어서,상기 전이금속 산화물 박막에 전압을 인가하여 상기 전이금속 산화물 박막을 양극 저항 스위칭 특성이 나타나도록 포밍하는 단계;상기 포밍된 전이금속 산화물 박막에 제1 양극 저항 스위칭의 리셋(reset) 전압의 크기보다 크고 단극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 작은 전압을 인가하거나, 제1 양극 저항 스위칭의 리셋 전압의 크기보다 크고 단극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 작은 전압을 인가한 후, 제1 양극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 크고 단극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 작은 전압을 인가하거나, 제2 양극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 크고 단극 저항 스위칭의 셋 전압의 크기보다 작은 전압과 전류 크기 증가를 제한하는 컴플라이언스 전류(compliance current)를 인가하여 상기 전이금속 산화물 박막의 저항을 변화시키는 단계; 및상기 전이금속 산화물 박막의 저항 크기에 따라 "0", "1" 또는 "2"를 할당하는 단계;를 포함하며,상기 제1 양극 저항 스위칭은 별도의 전류 인가 없는 상태에서 나타내는 양극 저항 스위칭이고, 상기 제2 양극 저항 스위칭은 전류의 크기 증가를 제한하는 컴플라이언스 전류가 인가된 상태에서 나타내는 양극 저항 스위칭인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자의 정보기록방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 양극 저항 스위칭 포밍하는 단계는,상기 전이금속 산화물 박막에 단극 저항 스위칭 특성이 나타나도록 단극 저항 스위칭 포밍하는 단계; 및상기 단극 저항 스위칭 특성이 나타나도록 포밍된 전이금속 산화물 박막에 단극 저항 스위칭 리셋 전압의 크기보다 크고 단극 저항 스위칭의 셋 전압 크기보다 작은 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자의 정보기록방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 저항을 변화시키는 단계에 인가되는 전압은 펄스 형태의 전압인 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자의 정보기록방법
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