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양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166486
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 물질로 제조된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 나노 스케일의 매우 작은 구조체들에서 전자 혹은 정공의 에너지 준위가 벌크에서의 에너지 준위와 다른 값을 갖게 된다는 양자 구속현상에 따른 에너지 준위의 변화를 이용하여 나노 막대 형태로 제조되고 그 나노 막대의 직경이 일정한 간격으로 변경되도록 성장시킴으로써 직경이 작은 영역에서는 전자 바닥 상태 에너지의 준위가 높아지고, 반대로 직경이 큰 영역에서는 전자 바닥 상태의 에너지 준위가 상대적으로 낮아지므로 종래의 에너지띠 간격이 다른 두개의 재료를 적층하여 이종 접합 양자 우물을 제조하는 것과 같은 효과를 얻을 수 있는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체 및 그 제조방법을 제공한다.나노 막대, 양자 우물 효과, 나노 구조체
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/15 (2011.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020060045289 (2006.05.19)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0723022-0000 (2007.05.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0351548-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000322-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0098966-89
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0264277-98
6 의견서
Written Opinion		 2007.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0306399-23
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0306452-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2007-5065076-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0235336-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나의 물질로 제조되며 나노미터 크기를 갖는 구조체의 직경이 주기적 또는 비주기적으로 변경되도록 형성된 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 구조체는 나노 막대, 니들, 위스커스 또는 와이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 구조체는 직접 천이형 에너지띠를 갖는 화합물로 제조된 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체
4 4
제 3 항에 있어서,상기 구조체를 형성하는 직접 천이형 에너지띠를 갖는 화합물은 GaN, GaAs 또는 InP 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 구조체는 폴리머와 같이 광자생성이 가능한 물질로 구성된 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체
6 6
나노 막대, 니들, 위스커스 또는 와이어 중 어느 하나를 기판온도 또는 반응 가스 주입용량을 설정하여 성장시키는 제1단계와; 상기 제1단계를 실시한 후, 기판의 온도를 변화시키거나 반응 가스의 주입 용량을 변화시켜 나노 막대의 직경을 1단계에서 성장시킨 나노 막대, 니들, 위스커스 또는 와이어 중 어느 하나의 직경보다 크거나 작게 성장시키는 제2단계와; 상기 제1단계와 제2단계를 반복하여 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체의 제조방법
7 7
나노 막대, 니들, 위스커스 또는 와이어 중 어느 하나를 성장시키는 선처리 단계와;상기 선처리된 나노 막대, 니들, 위스커스 또는 와이어 중 어느 하나를 주기적 또는 비주기적으로 직경이 좁고 넓음을 반복하도록 식각하는 후처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 식각방법은,RIE(Reactive Ion Etching)법 또는 CAIBE(Chemically Assisted Ion Beam Etching)법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자 우물 구조를 갖는 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.