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(a) 기판 상에 (In, Ga, Al)2O3계 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 반도체층을 CF계 가스 또는 CF계 가스와 산소(O2)의 혼합 가스를 포함하는 플라즈마로 표면 처리하는 단계; 및(c) 상기 플라즈마 표면 처리된 반도체층 상에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 n형 반도체층인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 β-Ga2O3 을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 CF계 가스는 CF4 가스, C4F6 가스, C4F8 가스, 또는 C5F8 가스인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 CF계 가스와 산소(O2)의 혼합 가스에서 산소의 함량은 0 초과 내지 40%의 범위인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 전극이 반도체층과 오믹 컨택을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 표면 처리된 반도체층을 별도로 열 처리하지 않고 상기 (c) 단계에서 상기 금속 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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8
제1항에 있어서, 상기 금속 전극이 소스 전극 및 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계 이후에 (d) 절연층을 형성하는 단계 및 (e) 상기 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제1항에 따른 방법에 의해 제조된 반도체 소자
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