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하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 나노 박막:[화학식 1]상기 식에서X는, 서로 같거나 다르며 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 시클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 12의 헤테로아릴기이다
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제1항에 있어서, 상기에서 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기는 치환 또는 비치환된 메틸기, 에틸기, 프로필기, 또는 부틸기이며,상기 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 시클로 알킬기는 치환 또는 비치환된 시클로 부틸기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기, 시클로 헵틸기, 또는 시클로 옥틸기이며,상기 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기 또는 나프틸기이며, 상기 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 12의 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환된 피리디닐기 또는 피리미디닐기인 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제1항에 있어서, 각각의 X에 치환되는 치환기는 각각 독립적으로 히드록시기, 할로겐기 및 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6인 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 1 종 이상의 나노 소재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제5항에 있어서, 상기 나노 박막은 화학식 1로 표시되는 화합물과 1 종 이상의 나노 소재를 1 : 0
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제5항에 있어서, 상기 나노 소재는 나노와이어, 나노입자, 나노튜브, 나노섬유, 및 나노로드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 나노 박막
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8
제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 20 내지 300℃의 온도로 열처리된 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 투명한 박막인 것을 특징으로 하는 나노 박막
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제1항에 있어서, 상기 나노 박막은 전기소자, 자기소자, 광학소자 및 센서소자 중에서 선택되는 1종 이상의 소자에 사용되는 것을 특징으로 하는 나노 박막
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11
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 분산액 또는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물과 1종 이상의 나노소재를 포함하는 분산액을 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 기판을 열처리 하는 단계;를 포함하는, 나노 박막의 제조 방법:[화학식 1]상기 식에서X는, 서로 같거나 다르며 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 시클로 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 12의 헤테로아릴기이다
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제11항에 있어서, 상기 열처리 단계에서 열처리 온도는 20 내지 300℃인 특징으로 하는 나노 박막의 제조 방법
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제1항의 나노 박막, 및 상기 나노 박막의 상부면 또는 하부면에 형성된 무기 박막을 포함하는 복합 나노 박막
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제13항에 있어서,상기 무기 박막은 산화물 및 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 나노 박막
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