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고이동도 구동 소자로서,기판;상기 기판 위에 위치하는 절연막;상기 절연막의 적어도 일부 영역 위에 위치하고 금속 산화물을 포함하는 채널 층;상기 채널 층과 연결되어 있으며, 상기 채널 층을 중심으로 양측으로 마주하도록 상기 절연막 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 채널 층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 모두 덮는 보호층을 포함하고,상기 채널 층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 적어도 일부 영역에 복수 개의 국부적 불소화 처리 영역(F treatment area)을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항에 있어서,다음 식(1)에 의해 계산되는 면적 비율(B)이 0
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수 개의 불소화 처리 영역 중 2개의 불소화 처리 영역은 폭 방향으로 소스 전극 또는 드레인 전극의 폭(W)의 거리만큼 서로 이격되어 있고, 상기 복수 개의 불소화 처리 영역들은 폭 방향으로 서로 등간격으로 일렬로 배치되는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수 개의 불소화 처리 영역들은 서로 다음 식(2)에 의해 계산되는 최대 간격으로 이격되면서 채널 층의 중심을 기준으로 대칭으로 배열되어 있는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수 개의 불소화 처리 영역은 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 폭 방향으로 연장하는 중심선(A)을 따라 배치되어 있는 것인, 고이동도 구동 소자
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6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수 개의 불소화 처리 영역은 상기 채널 층의 상부 표면 상에 형성되어 있는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복수 개의 불소화 처리 영역은 3 개 내지 9 개인 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 채널 층의 금속 산화물은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판 및 상기 절연막 사이에 게이트 전극을 더 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자
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10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 산화물을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화물을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자
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제1항에 따른 고이동도 구동 소자의 제조방법으로서,기판을 준비하는 단계;기판 위에 금속 산화물을 포함하는 채널 층을 형성하는 단계;소정의 위치에 소정의 크기의 구멍이 형성되어 있는 포토레지스트를 상기 채널 층 위로 배치하는 단계;상기 구멍을 통해 불소를 노출시키는 단계;제거 용액을 이용하여 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;상기 채널 층을 중심으로 양측으로 마주하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널 층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 모두 덮도록 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 고이동도 구동 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 채널 층의 금속 산화물은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 보호층은 실리콘 산화물을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 채널 층을 형성하는 단계 전에, 기판 위에 절연막을 성막하는 단계를 더 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 절연막을 성막하는 단계 전에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화물을 포함하는 것인, 고이동도 구동 소자의 제조방법
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